| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 Ga N基发光二极管器件的优势及研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 紫外LED及其应用 | 第16-18页 |
| 1.3 Ga N基LED器件的研究进展及存在的问题 | 第18-20页 |
| 1.4 本文研究内容及安排 | 第20-23页 |
| 第二章 Ga N基紫外LED的制备过程及退化机制 | 第23-33页 |
| 2.1 Ga N基紫外LED制备过程 | 第23-26页 |
| 2.1.1 Ga N基紫外LED的基本结构 | 第23-24页 |
| 2.1.2 Ga N基紫外LED的工艺制备流程 | 第24-26页 |
| 2.2 Ga N基LED的退化机制概述 | 第26-31页 |
| 2.2.1 P-型接触层金属电迁移 | 第26页 |
| 2.2.2 p-Ga N及欧姆接触的退化 | 第26-27页 |
| 2.2.3 深能级缺陷增加 | 第27-28页 |
| 2.2.4 p-型掺杂的不稳定性 | 第28-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 基于退化后 395 nm-In Ga N/Ga N LED的电学及低频噪声特性研究 | 第33-47页 |
| 3.1 395 nm-In Ga N/Ga N大功率LED器件特性及开态应力老化试验 | 第33-35页 |
| 3.1.1 395 nm-LED器件特性 | 第33页 |
| 3.1.2 395 nm-LED开态应力老化实验及结果 | 第33-35页 |
| 3.2 395 nm-In Ga N/Ga N大功率LED器件退化后电学特性的研究 | 第35-41页 |
| 3.2.1 对395 nm-LED I-V特性未开启区电流输运机制的分析 | 第37-38页 |
| 3.2.2 对395 nm-LED I-V特性线性区电流输运机制的分析 | 第38-39页 |
| 3.2.3 对395 nm-LED I-V特性反向区电流输运机制的分析 | 第39-41页 |
| 3.3 395 nm-In Ga N/Ga N大功率LED器件退化后低频噪声特性的研究 | 第41-46页 |
| 3.3.1 低频噪声测试方案 | 第41-42页 |
| 3.3.2 低频噪声测试结果及分析 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于短波长Al Ga N/Ga N UV LED器件的特性研究 | 第47-61页 |
| 4.1 360 nm-Al Ga N/In Ga N紫外LED | 第47-53页 |
| 4.1.1 360 nm-Al Ga N/In Ga N UV-LED器件特性 | 第47页 |
| 4.1.2 360 nm-Al Ga N/In Ga N UV-LED光学特性 | 第47-49页 |
| 4.1.3 360 nm-Al Ga N/In Ga N UV-LED I-V特性研究 | 第49-51页 |
| 4.1.4 360 nm-Al Ga N/In Ga N UV-LED C-V特性研究 | 第51-53页 |
| 4.2 352 nm-Al Ga N/Al Ga N紫外LED | 第53-59页 |
| 4.2.1 352 nm-Al Ga N/Al Ga N UV-LED器件特性 | 第53页 |
| 4.2.2 352 nm-Al Ga N/Al Ga N UV-LED光学特性 | 第53-55页 |
| 4.2.3 352 nm-Al Ga N/Al Ga N UV-LED I-V特性研究 | 第55-56页 |
| 4.2.4 352 nm-Al Ga N/Al Ga N UV-LED C-V特性研究 | 第56-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 研究结论 | 第61-62页 |
| 5.2 研究展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者介绍 | 第69-70页 |
