| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 SiC材料简介 | 第17-18页 |
| 1.2 SiC MOSFET器件研究进展 | 第18-25页 |
| 1.2.1 器件研究进展 | 第18-21页 |
| 1.2.2 基础机理研究进展 | 第21页 |
| 1.2.3 器件及电路仿真 | 第21-22页 |
| 1.2.4 业界研制举例 | 第22-24页 |
| 1.2.5 论文研究意义 | 第24-25页 |
| 1.3 论文安排 | 第25-27页 |
| 第二章 SiC MOSFET器件原理及设计 | 第27-45页 |
| 2.1 器件结构及基本原理 | 第27-29页 |
| 2.2 器件设计 | 第29-40页 |
| 2.2.1 击穿特性设计 | 第29-35页 |
| 2.2.2 导通电阻设计 | 第35-38页 |
| 2.2.3 阈值电压设计 | 第38-40页 |
| 2.3 其他设计考虑 | 第40-42页 |
| 2.3.1 场氧的引入 | 第40页 |
| 2.3.2 元胞形貌 | 第40-42页 |
| 2.3.3 新型器件结构优化设计 | 第42页 |
| 2.4 本章总结 | 第42-45页 |
| 第三章 4H-SiC MOSFET器件仿真 | 第45-69页 |
| 3.1 器件仿真模型 | 第45-49页 |
| 3.1.1 载流子产生-复合模型 | 第45页 |
| 3.1.2 载流子统计模型 | 第45-46页 |
| 3.1.3 碰撞电离模型 | 第46-47页 |
| 3.1.4 迁移率模型 | 第47-48页 |
| 3.1.5 4H-SiC材料特殊模型 | 第48-49页 |
| 3.2 击穿仿真 | 第49-61页 |
| 3.2.1 元胞仿真 | 第49-53页 |
| 3.2.2 终端仿真 | 第53-61页 |
| 3.3 正向仿真 | 第61-62页 |
| 3.3.1 转移特性 | 第61-62页 |
| 3.3.2 输出特性 | 第62页 |
| 3.4 优化P well掺杂仿真 | 第62-67页 |
| 3.4.1 击穿仿真 | 第63页 |
| 3.4.2 正向仿真 | 第63-65页 |
| 3.4.3 瞬态仿真 | 第65页 |
| 3.4.4 机理分析 | 第65-67页 |
| 3.5 本章总结 | 第67-69页 |
| 第四章 SiC MOSFET器件制备关键工艺及版图设计 | 第69-95页 |
| 4.1 离子注入及激活退火 | 第69-82页 |
| 4.1.1 离子注入简介 | 第69-71页 |
| 4.1.2 离子注入仿真 | 第71-76页 |
| 4.1.3 离子注入及激活实验 | 第76-82页 |
| 4.2 欧姆接触 | 第82-87页 |
| 4.2.1 金属体系及退火温度 | 第83-84页 |
| 4.2.2 欧姆接触实验 | 第84-87页 |
| 4.3 工艺流程 | 第87-91页 |
| 4.4 版图设计 | 第91-93页 |
| 4.5 本章总结 | 第93-95页 |
| 第五章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 5.1 总结 | 第95-96页 |
| 5.2 展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 作者简介 | 第105页 |
| 1. 基本情况 | 第105页 |
| 2. 教育背景 | 第105页 |
| 3. 在学期间的研究成果 | 第105页 |