0.13um栅极多晶硅低压沉积工艺稳定性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·集成电路发展的历史及趋势 | 第10-13页 |
| ·什么是集成电路 | 第10-11页 |
| ·半导体工艺的发展 | 第11页 |
| ·CMOS 集成电路发展的所面临的挑战 | 第11-13页 |
| ·炉管低压化学沉积工艺（LPCVD）的简介 | 第13-16页 |
| ·LPCVD 工艺 | 第13页 |
| ·LPCVD 多晶硅的炉管结构 | 第13-14页 |
| ·LPCVD 多晶硅薄膜的性质和制备方法 | 第14-16页 |
| 2 低压高温条件下的栅极多晶硅生长 | 第16-26页 |
| ·硅生长原理 | 第17-23页 |
| ·LPCVD 多晶硅生长速率 | 第23-26页 |
| ·多晶硅生长速率与温度 | 第23-24页 |
| ·多晶硅生长速率与压力 | 第24-26页 |
| 3 多晶硅薄膜的研究 | 第26-29页 |
| ·LPCVD 多晶硅晶粒特点 | 第27-28页 |
| ·多晶硅电学性能 | 第28-29页 |
| 4 LPCVD 多晶硅薄膜制备工艺的研究 | 第29-41页 |
| ·栅极多晶硅的常用改善 | 第29-30页 |
| ·多晶硅制备中不稳定性根本原因分析 | 第30-41页 |
| ·LPCVD 工艺腔体温度控制能力 | 第33-35页 |
| ·LPCVD 工艺腔体压力控制能力 | 第35-37页 |
| ·LPCVD 工艺腔体硅烷流量的控制能力 | 第37-41页 |
| 5 多晶硅制备的不稳定性的解决方案 | 第41-53页 |
| ·表面粗糙度 V.S.电阻 | 第41-43页 |
| ·干扰硅烷流量因素的分析 | 第43-45页 |
| ·栅极多晶硅工艺的改进 | 第45-47页 |
| ·栅极多晶硅工艺改进的实验设计 | 第47-50页 |
| ·综合解决方案的试验验证 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 6 结论 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·工作成果推广 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-62页 |
| 附件 | 第62页 |
