致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
缩略词表 | 第11-12页 |
目录 | 第12-15页 |
1 绪论 | 第15-31页 |
·课题背景及意义 | 第15-17页 |
·ESD模式与测试方法 | 第17-29页 |
·ESD等效模式 | 第17-20页 |
·ESD测试方法 | 第20-27页 |
·IC的测试标准 | 第27-29页 |
·片上ESD防护的国内外研究现状 | 第29-30页 |
·本论文的主要工作及结构安排 | 第30-31页 |
2 片上I/O电路的设计与实现 | 第31-53页 |
·I/O单元简介 | 第31-34页 |
·I/O单元版图布局 | 第31-33页 |
·I/O单元布局分类 | 第33-34页 |
·通用数字I/O电路设计与实现 | 第34-43页 |
·通用数字I/O电路实现框架 | 第34-35页 |
·施密特(Schmitt)触发器电路的设计与实现 | 第35-37页 |
·输出使能控制电路的设计与实现 | 第37-38页 |
·Low-To-High电平移位电路设计与实现 | 第38-39页 |
·输出驱动电路设计与实现 | 第39-40页 |
·通用数字I/O电路功能验证 | 第40-43页 |
·通用耐高压型数字I/O电路设计与实现 | 第43-51页 |
·输入驱动管耐高压型设计与实现 | 第44-46页 |
·耐高压5V输入型通用I/O电路设计及功能验证 | 第46-51页 |
·模拟I/O电路设计与实现 | 第51页 |
·本章小结 | 第51-53页 |
3 典型工艺下的ESD防护单元设计与研究 | 第53-137页 |
·低压工艺下二极管的ESD防护设计与研究 | 第53-61页 |
·二极管的ESD防护原理 | 第53-55页 |
·双二极管型ESD防护特性研究 | 第55-61页 |
·低压工艺下MOSFET的ESD防护设计与研究 | 第61-85页 |
·GGNMOS的ESD防护原理 | 第61-66页 |
·金属布线对GGNMOS防护特性的影响 | 第66-72页 |
·互补型MOSFET防护特性研究 | 第72-85页 |
·低压工艺下SCR的ESD防护设计与研究 | 第85-124页 |
·SCR的ESD防护原理 | 第85-88页 |
·互补型SCR防护特性研究 | 第88-98页 |
·改进连接方式的互补型SCR防护方案 | 第98-104页 |
·ESD防护设计中的Source-pump技术以及Gate-suppression技术 | 第104-110页 |
·双向SCR防护特性 | 第110-116页 |
·电容耦合SCR的低压ESD防护应用 | 第116-124页 |
·高压工艺下的ESD防护设计与研究 | 第124-132页 |
·高压NLDMOS的ESD防护特性 | 第124-126页 |
·级联型双向SCR的高压ESD防护特性 | 第126-132页 |
·本章小结 | 第132-137页 |
4 ESD防护网络及全芯片防护设计 | 第137-153页 |
·局部ESD防护网络 | 第137-139页 |
·基于电源轨的局部ESD防护网络 | 第137-138页 |
·基于PAD的局部ESD防护网络 | 第138-139页 |
·全芯片ESD防护网络 | 第139-141页 |
·全芯片多电源域的ESD防护网络构建 | 第139-140页 |
·多电源域的ESD防护具体实现 | 第140-141页 |
·基于开关电路的ESD全芯片防护电路 | 第141-151页 |
·ESD电流导致内部电路失效 | 第141-143页 |
·基于ESD开关电路的全芯片防护设计 | 第143-147页 |
·基于ESD开关电路的全芯片电源总线布局 | 第147-148页 |
·基于ESD开关电路的布局防护对比验证 | 第148-151页 |
·本章小结 | 第151-153页 |
5 总结及展望 | 第153-159页 |
·总结 | 第153-155页 |
·本文的创新之处 | 第155-156页 |
·本文的不足之处以及展望 | 第156-159页 |
参考文献 | 第159-167页 |
作者简历及在学期间的科研成果 | 第167-168页 |