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集成电路典型工艺下I/O电路及片上ESD防护设计研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-11页
缩略词表第11-12页
目录第12-15页
1 绪论第15-31页
   ·课题背景及意义第15-17页
   ·ESD模式与测试方法第17-29页
     ·ESD等效模式第17-20页
     ·ESD测试方法第20-27页
     ·IC的测试标准第27-29页
   ·片上ESD防护的国内外研究现状第29-30页
   ·本论文的主要工作及结构安排第30-31页
2 片上I/O电路的设计与实现第31-53页
   ·I/O单元简介第31-34页
     ·I/O单元版图布局第31-33页
     ·I/O单元布局分类第33-34页
   ·通用数字I/O电路设计与实现第34-43页
     ·通用数字I/O电路实现框架第34-35页
     ·施密特(Schmitt)触发器电路的设计与实现第35-37页
     ·输出使能控制电路的设计与实现第37-38页
     ·Low-To-High电平移位电路设计与实现第38-39页
     ·输出驱动电路设计与实现第39-40页
     ·通用数字I/O电路功能验证第40-43页
   ·通用耐高压型数字I/O电路设计与实现第43-51页
     ·输入驱动管耐高压型设计与实现第44-46页
     ·耐高压5V输入型通用I/O电路设计及功能验证第46-51页
   ·模拟I/O电路设计与实现第51页
   ·本章小结第51-53页
3 典型工艺下的ESD防护单元设计与研究第53-137页
   ·低压工艺下二极管的ESD防护设计与研究第53-61页
     ·二极管的ESD防护原理第53-55页
     ·双二极管型ESD防护特性研究第55-61页
   ·低压工艺下MOSFET的ESD防护设计与研究第61-85页
     ·GGNMOS的ESD防护原理第61-66页
     ·金属布线对GGNMOS防护特性的影响第66-72页
     ·互补型MOSFET防护特性研究第72-85页
   ·低压工艺下SCR的ESD防护设计与研究第85-124页
     ·SCR的ESD防护原理第85-88页
     ·互补型SCR防护特性研究第88-98页
     ·改进连接方式的互补型SCR防护方案第98-104页
     ·ESD防护设计中的Source-pump技术以及Gate-suppression技术第104-110页
     ·双向SCR防护特性第110-116页
     ·电容耦合SCR的低压ESD防护应用第116-124页
   ·高压工艺下的ESD防护设计与研究第124-132页
     ·高压NLDMOS的ESD防护特性第124-126页
     ·级联型双向SCR的高压ESD防护特性第126-132页
   ·本章小结第132-137页
4 ESD防护网络及全芯片防护设计第137-153页
   ·局部ESD防护网络第137-139页
     ·基于电源轨的局部ESD防护网络第137-138页
     ·基于PAD的局部ESD防护网络第138-139页
   ·全芯片ESD防护网络第139-141页
     ·全芯片多电源域的ESD防护网络构建第139-140页
     ·多电源域的ESD防护具体实现第140-141页
   ·基于开关电路的ESD全芯片防护电路第141-151页
     ·ESD电流导致内部电路失效第141-143页
     ·基于ESD开关电路的全芯片防护设计第143-147页
     ·基于ESD开关电路的全芯片电源总线布局第147-148页
     ·基于ESD开关电路的布局防护对比验证第148-151页
   ·本章小结第151-153页
5 总结及展望第153-159页
   ·总结第153-155页
   ·本文的创新之处第155-156页
   ·本文的不足之处以及展望第156-159页
参考文献第159-167页
作者简历及在学期间的科研成果第167-168页

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