| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·气敏传感器的概述 | 第9-21页 |
| ·气敏传感器的定义 | 第9-10页 |
| ·气敏传感器的分类 | 第10-11页 |
| ·气敏传感器的主要特性参数 | 第11-14页 |
| ·半导体气敏传感器的发展趋势 | 第14-21页 |
| ·多孔硅气敏传感器 | 第21-25页 |
| ·多孔硅简介 | 第21-22页 |
| ·多孔硅气敏传感器的工作原理 | 第22-24页 |
| ·多孔硅气敏传感器的发展趋势 | 第24-25页 |
| ·多孔硅基金属氧化物气敏传感器的研究进展 | 第25-26页 |
| ·本论文研究工作的目的和内容 | 第26-28页 |
| 第二章 理论知识与相关实验 | 第28-46页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第28-30页 |
| ·化学腐蚀法 | 第28-29页 |
| ·电偶腐蚀法 | 第29页 |
| ·双槽电化学腐蚀法 | 第29-30页 |
| ·多孔硅形成机理 | 第30-33页 |
| ·扩散限制（DLA）模型 | 第30-31页 |
| ·Beale 模型 | 第31-32页 |
| ·量子限制模型 | 第32-33页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第33-37页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第33-35页 |
| ·溅射薄膜的形成过程 | 第35-36页 |
| ·对向靶磁控溅射镀膜法 | 第36-37页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第37-40页 |
| ·金属与半导体的功函数 | 第37-38页 |
| ·肖特基接触 | 第38-39页 |
| ·欧姆接触 | 第39-40页 |
| ·气体在半导体材料表面的吸附过程 | 第40-41页 |
| ·吸附与脱附 | 第40页 |
| ·物理吸附 | 第40-41页 |
| ·化学吸附 | 第41页 |
| ·薄膜成分、晶体结构和表面形貌的分析 | 第41-44页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS）成分分析 | 第42页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）薄膜形貌分析 | 第42-43页 |
| ·原子力显微镜（AFM）分析 | 第43页 |
| ·X 射线衍射法（XRD）晶体结构分析 | 第43页 |
| ·傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析 | 第43-44页 |
| ·气敏传感器主要性能的分析测试方法 | 第44-46页 |
| 第三章 大孔硅气敏传感器的制备和性能研究 | 第46-60页 |
| ·大孔硅气敏传感器的制备 | 第46-49页 |
| ·硅片清洗 | 第46-47页 |
| ·电化学腐蚀制备大孔硅 | 第47页 |
| ·电极的制备 | 第47-49页 |
| ·大孔硅微观形貌分析及孔隙率测试 | 第49-53页 |
| ·大孔硅微观形貌分析 | 第49-51页 |
| ·孔隙率测量实验 | 第51-53页 |
| ·大孔硅电学特性 | 第53-55页 |
| ·大孔硅的气敏特性 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 大孔硅基氧化钨气敏传感器的制备与性能研究 | 第60-75页 |
| ·大孔硅基氧化钨气敏传感器的制备 | 第61-63页 |
| ·大孔硅基底的制备 | 第61页 |
| ·氧化钨薄膜的制备 | 第61-62页 |
| ·电极的制备 | 第62-63页 |
| ·大孔硅基氧化钨薄膜的形貌和结构特性分析 | 第63-67页 |
| ·SEM 分析 | 第63-64页 |
| ·EDS 分析 | 第64-66页 |
| ·XRD 分析 | 第66-67页 |
| ·XPS 分析 | 第67页 |
| ·大孔硅基氧化钨气敏传感器的气敏特性分析 | 第67-70页 |
| ·氧化钨薄膜对于大孔硅气敏传感器的气敏特性改性分析 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 介孔硅气敏传感器的制备与性能研究 | 第75-91页 |
| ·介孔硅气敏传感器的制备 | 第75-76页 |
| ·硅片清洗 | 第75页 |
| ·电化学腐蚀制备介孔硅 | 第75-76页 |
| ·电极的制备 | 第76页 |
| ·介孔硅形貌分析及孔隙率测试 | 第76-80页 |
| ·介孔硅微观形貌分析 | 第76-79页 |
| ·孔隙率测量实验 | 第79-80页 |
| ·介孔硅电学特性测量实验 | 第80-82页 |
| ·介孔硅气敏特性 | 第82-90页 |
| ·介孔硅的基本气敏特性 | 第82-84页 |
| ·介孔硅的气敏稳定性 | 第84-87页 |
| ·大孔硅和介孔硅的气敏特性对比分析 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 介孔硅基氧化钨气敏传感器的制备与性能研究 | 第91-108页 |
| ·介孔硅基氧化钨气敏传感器的制备 | 第91-93页 |
| ·介孔硅基底的制备 | 第91-92页 |
| ·氧化钨薄膜的制备 | 第92页 |
| ·电极的制备 | 第92-93页 |
| ·不同溅射参数对于介孔硅基氧化钨薄膜形貌和气敏特性的影响 | 第93-101页 |
| ·溅射时间的影响 | 第93-95页 |
| ·溅射压强的影响 | 第95-98页 |
| ·溅射氩氧比的影响 | 第98-101页 |
| ·介孔硅基氧化钨与介孔硅的气敏特性对比分析 | 第101-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 总结 | 第108-111页 |
| ·全文结论 | 第108-109页 |
| ·本论文创新点 | 第109-110页 |
| ·工作展望 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122页 |