| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题背景及意义 | 第11-12页 |
| ·国内外发展情况介绍 | 第12-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 基于纳米场效应结构的微加速度计的原理 | 第17-28页 |
| ·纳米场效应结构 | 第17-19页 |
| ·赝配式高电子迁移率晶体管的基本原理介绍 | 第19-24页 |
| ·PHEMT 模型理论介绍 | 第19-21页 |
| ·增强体材料载流子对应变调制的理论研究 | 第21-24页 |
| ·加速度计的力电耦合原理 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于纳米场效应的微加速度计结构分析与改进 | 第28-41页 |
| ·GaAs DH-PHEMT 结构设计 | 第28-30页 |
| ·普通 HEMT 的缺点： | 第28页 |
| ·PHEMT 的基本结构： | 第28-30页 |
| ·PHEMT 的性能优点： | 第30页 |
| ·微加速度计的材料层分析改进 | 第30-33页 |
| ·单平面掺杂异质结 PHEMT | 第30-31页 |
| ·双平面掺杂 PHEMT | 第31-32页 |
| ·SH-PHEMT 和 DH-PHEMT 输出特性比较 | 第32-33页 |
| ·基于纳米场效应结构的微加速度计的设计 | 第33-40页 |
| ·力学特性分析及参数优化 | 第33-36页 |
| ·参数分析优化 | 第36页 |
| ·ANSYS 仿真分析 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于纳米场效应结构的加速度计的版图设计与工艺 | 第41-56页 |
| ·微加速度计的版图设计 | 第41-44页 |
| ·版次说明 | 第41-42页 |
| ·版图改进 | 第42-44页 |
| ·微加速度计的工艺 | 第44-53页 |
| ·关键工艺介绍 | 第45-49页 |
| ·基于纳米场效应结构的微加速度计的工艺流程 | 第49-51页 |
| ·实际加工成品观测 | 第51-53页 |
| 4 3 基于纳米场效应结构的微加速度计的优化-硅基 GaAs 薄膜结构的研究 | 第53-55页 |
| ·硅基 GaAs 薄膜结构的技术挑战 | 第53-54页 |
| ·STO 缓冲层 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 基于纳米场效应结构的微加速度计的输出特性研究 | 第56-72页 |
| ·基本特性测试 | 第56-59页 |
| ·I-V 基本特性与转移特性研究 | 第56-57页 |
| ·稳定性测试 | 第57-58页 |
| ·漏极负电流现象分析 | 第58-59页 |
| ·温度特性研究 | 第59-63页 |
| ·微加速度计温度特性理论分析 | 第59-61页 |
| ·温度特性实验分析 | 第61-62页 |
| ·温度测试的偏压调制作用 | 第62-63页 |
| ·应力对 PHEMT 器件输出特性的影响 | 第63-66页 |
| ·失配应力对电子迁移率的影响 | 第63-64页 |
| ·热应力与电性能影响 | 第64-65页 |
| ·应力与输出之间的分析 | 第65-66页 |
| ·惯性测试实验 | 第66-71页 |
| ·静态惯性测试 | 第66-67页 |
| ·动态惯性测试 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及参与的科研项目 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
