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低电压低功耗nMOS与ECL电路设计研究

第一章 绪论第1-16页
 1.1 低功耗集成电路设计动因第8-9页
 1.2 集成电路低功耗设计主要研究内容第9-11页
 1.3 本论文研究内容及研究背景第11-14页
 1.4 低功耗nMOS和ECL电路研究现状第14-16页
第二章 开关信号理论第16-26页
 2.1 开关信号理论第16-19页
 2.2 适合于nMOS电路开关级设计的接地电压开关理论第19-22页
 2.3 适合于ECL数字电路开关级设计的差动电流开关理论第22-26页
第三章 nMOS和ECL电路功耗分析第26-33页
 3.1 电路工艺标准及性能测试方法第26-28页
 3.2 nMOS电路功耗分析第28-29页
 3.3 ECL电路功耗分析及参数确定第29-33页
第四章 并联开关技术第33-37页
 4.1 并联开关第33-34页
 4.2 nMOS电路并联开关技术第34-35页
 4.3 ECL电路并联开关技术第35-37页
第五章 低电压低功耗nMOS数字电路设计第37-47页
 5.1 低电压低功耗二值nMOS电路设计第37-41页
 5.2 低电压低功耗三值nMOS电路设计第41-47页
第六章 低电压低功耗ECL数字电路设计第47-61页
 6.1 低电压低功耗二值ECL电路设计第47-53页
 6.2 低电压低功耗三值ECL电路设计第53-61页
第七章 结论第61-64页
参考文献第64-70页
附录第70-79页
 A.1 作者在博士学习期间获奖及发表的论文第70-72页
 A.2 电路模拟的工艺参数第72-73页
 A.3 部分电路模拟源程序第73-78页
 A.4 基于Matlab的电路平均功耗计算源程序第78-79页

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