低温晶片键合的实验和动力学特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| ·课题背景和研究意义 | 第11-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 晶片键合技术综述 | 第14-31页 |
| ·晶片键合技术的起源及历史 | 第14-15页 |
| ·晶片键合的主要方法 | 第15-19页 |
| ·热键合技术 | 第15页 |
| ·阳极键合技术 | 第15-16页 |
| ·低温真空键合技术 | 第16-18页 |
| ·粘合键合技术 | 第18-19页 |
| ·低温共熔体键合技术 | 第19页 |
| ·晶片键合的基本原理和工艺流程 | 第19-26页 |
| ·晶片键合的基本原理 | 第19-20页 |
| ·晶片键合的工艺流程 | 第20-26页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第26-31页 |
| ·长波长垂直腔型光电子器件 | 第26-27页 |
| ·Si基长波长雪崩光电探测器 | 第27-28页 |
| ·SOI光波导 | 第28-29页 |
| ·制作GaN激光器 | 第29-31页 |
| 第三章 半导体晶片键合理论研究 | 第31-55页 |
| ·键合发生的判定依据 | 第31-40页 |
| ·键合发生判定依据的理论推导 | 第31-37页 |
| ·键合晶片厚度比及键合前沿点对键合的影响 | 第37-40页 |
| ·晶片刻蚀对晶片键合的影响 | 第40-44页 |
| ·浅层刻蚀对晶片键合的影响 | 第40-42页 |
| ·深层刻蚀对键合的影响 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| ·室温下键合引起的应力 | 第44-47页 |
| ·键合应力的基本模型 | 第44-47页 |
| ·室温键合应力与键合能的关系 | 第47页 |
| ·高温退火引起的热应力 | 第47-55页 |
| ·高温退火引起的剪切应力 | 第48-51页 |
| ·高温退火引起的正应力 | 第51-52页 |
| ·高温退火引起的键合界面形变 | 第52-55页 |
| 第四章 晶片键合的分子动力学模拟 | 第55-72页 |
| ·分子动力学基础知识 | 第55-60页 |
| ·分子运动方程及其数值求解 | 第56-58页 |
| ·分子动力学方法的约定 | 第58-60页 |
| ·分子动力学模拟的基本步骤 | 第60-64页 |
| ·模拟模型的设定 | 第60-62页 |
| ·给定初始条件 | 第62-63页 |
| ·趋于平衡 | 第63页 |
| ·宏观物理量的计算 | 第63-64页 |
| ·晶片键合的分子动力学模拟 | 第64-72页 |
| ·模拟所用的微正则系综简介 | 第64-66页 |
| ·Si-Si键合的分子动力学模拟 | 第66-70页 |
| ·SiO_2-SiO_2键合的分子动力学模拟 | 第70-72页 |
| 第五章 InP／GaAs低温键合工艺探索和研究 | 第72-83页 |
| ·键合晶片的表面处理 | 第72-76页 |
| ·晶片表面的清洁处理 | 第72-74页 |
| ·晶片表面腐蚀处理 | 第74-75页 |
| ·晶体表面活化处理 | 第75页 |
| ·晶片表面刻槽增强键合效果 | 第75-76页 |
| ·InP／GaAs晶片低温键合的实验过程 | 第76-78页 |
| ·键合晶片各方面性能测试 | 第78-83页 |
| ·键合晶片表面的光学显微镜图 | 第78-79页 |
| ·键合解理断面的光学显微镜图像 | 第79-80页 |
| ·GaAs滤波腔的透射谱测试 | 第80-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
