RF MEMS器件集成及其功能材料应用研究
| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| §1.1 引言 | 第11页 |
| §1.2 MEMS技术新进展 | 第11-18页 |
| §1.2.1 从MEMS到NEMS发展综述 | 第11-13页 |
| §1.2.2 NEMS研究现状和趋势 | 第13-16页 |
| §1.2.3 纳米硅材料 | 第16-18页 |
| §1.3 MEMS新介质材料——多孔硅 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 多孔硅厚膜的成膜规律 | 第21-33页 |
| §2.1 引言 | 第21页 |
| §2.2 成膜机制 | 第21-26页 |
| §2.2.1 反应机制 | 第21-22页 |
| §2.2.2 成膜模型 | 第22-26页 |
| §2.3 制各因素分析 | 第26-30页 |
| §2.3.1 孔隙率的影响因素 | 第26-27页 |
| §2.3.2 膜厚的影响因素 | 第27-29页 |
| §2.3.3 光照的影响 | 第29-30页 |
| §2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 多孔硅物理特性 | 第33-43页 |
| §3.1 引言 | 第33页 |
| §3.2 多孔硅电导特性 | 第33-36页 |
| §3.3 多孔硅微波特性 | 第36-38页 |
| §3.4 多孔硅光学特性 | 第38-40页 |
| §3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 基于多孔硅厚膜的微波无源器件 | 第43-59页 |
| §4.1 引言 | 第43-44页 |
| §4.2 理论分析 | 第44-49页 |
| §4.2.1 损耗机制 | 第44-47页 |
| §4.2.2 介电特性分析 | 第47-48页 |
| §4.2.3 损耗计算 | 第48-49页 |
| §4.3 实验讨论 | 第49-53页 |
| §4.3.1 实验和结果 | 第49-51页 |
| §4.3.2 结果分析 | 第51-52页 |
| §4.3.3 进一步实验优化 | 第52-53页 |
| §4.4 基于多孔硅的其他微波无源器件 | 第53-57页 |
| §4.4.1 基于多孔硅的MEMS开关 | 第53-56页 |
| §4.4.2 基于多孔硅的MEMS移相器 | 第56-57页 |
| §4.5 本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 多孔硅与SOI材料应用比较 | 第59-68页 |
| §5.1 引言 | 第59页 |
| §5.2 SOI衬底特性——‘新一代硅’ | 第59-61页 |
| §5.3 多孔硅与SOI比较 | 第61-66页 |
| §5.3.1 基于SOI衬底的RF电感 | 第61-62页 |
| §5.3.2 基于多孔硅衬底的RF电感 | 第62-65页 |
| §5.3.3 多孔硅的相对优点 | 第65-66页 |
| §5.4 本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第六章 低损耗微波无源器件在MMIC中的集成 | 第68-80页 |
| §6.1 引言 | 第68页 |
| §6.2 基于多孔硅的微波集成 | 第68-72页 |
| §6.3 多孔硅的集成工艺问题 | 第72-78页 |
| §6.3.1 多孔硅应力问题研究 | 第72-75页 |
| §6.3.2 多孔硅的掩膜集成 | 第75-78页 |
| §6.4 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第七章 结论与展望 | 第80-83页 |
| §7.1 全文总结 | 第80-81页 |
| §7.2 发展方向与展望 | 第81-83页 |
