第一章 引言 | 第1-16页 |
·功率半导体和功率集成电路简介 | 第10-12页 |
·电源管理芯片简介 | 第12-13页 |
·国内外发展现状 | 第13页 |
·电源芯片发展趋势 | 第13-16页 |
·高效率、高功率密度 | 第13-14页 |
·低压大电流 | 第14页 |
·标准化工作 | 第14-15页 |
·利用软件设计电源 | 第15-16页 |
第二章 DC-DC 变换介绍 | 第16-22页 |
·DC-DC 电源芯片的分类 | 第16-17页 |
·DC-DC 变换的不同形式 | 第17-19页 |
·调整管的选择 | 第18-19页 |
·外围元器件的选择 | 第19页 |
·控制方法简介 | 第19-20页 |
·PWM 控制 | 第19-20页 |
·PFM 控制 | 第20页 |
·PWM 和PFM 混合控制 | 第20页 |
·反馈方法 | 第20-21页 |
·电流反馈 | 第21页 |
·电压反馈 | 第21页 |
·同步整流技术 | 第21-22页 |
第三章 DC-DC 电源芯片里常用模块的分析和设计 | 第22-44页 |
·运算放大器 | 第22-30页 |
·运算放大器的指标 | 第22-25页 |
·基本CMOS 运算放大器设计 | 第25-26页 |
·带驱动级的CMOS 运算放大器 | 第26-27页 |
·高增益运算放大器 | 第27-28页 |
·运算放大器的偏置电路 | 第28-30页 |
·基准 | 第30-40页 |
·电压基准的主要参数 | 第30页 |
·基准的分类、分析和仿真 | 第30-40页 |
·齐纳基准 | 第30-31页 |
·E/D NMOS 基准电压源 | 第31-33页 |
·XFET 基准 | 第33-34页 |
·带隙基准 | 第34-40页 |
·比较器 | 第40页 |
·振荡器 | 第40-41页 |
·环形振荡器 | 第40-41页 |
·RC 振荡器 | 第41页 |
·保护电路 | 第41-43页 |
·温度检测 | 第41-42页 |
·电流检测 | 第42-43页 |
·电压检测 | 第43页 |
·逻辑电路 | 第43-44页 |
第四章 论文中开关电源芯片的设计 | 第44-80页 |
·芯片简介 | 第44页 |
·设计指标 | 第44页 |
·工作原理图 | 第44-45页 |
·系统框图 | 第45-46页 |
·电压基准 | 第46-53页 |
·电压基准的参数要求 | 第46页 |
·基准电压原理图 | 第46-47页 |
·电路分析 | 第47-48页 |
·基准的参数设置 | 第48页 |
·基准的仿真 | 第48-51页 |
·电压抑制和温度抑制 | 第48-50页 |
·基准的瞬态仿真 | 第50页 |
·基准中偏置电流随温度和电源电压的变化 | 第50-51页 |
·基准的版图 | 第51页 |
·基准电路的改进 | 第51-52页 |
·改进后仿真结果 | 第52页 |
·基准电阻R3 的修调 | 第52-53页 |
·误差比较器 | 第53-55页 |
·误差比较器(EA)的要求 | 第53页 |
·误差比较器电路图 | 第53-54页 |
·电路分析 | 第54页 |
·仿真结果 | 第54-55页 |
·开环增益 | 第54页 |
·失调电压 | 第54-55页 |
·静态电流 | 第55页 |
·振荡器 | 第55-61页 |
·振荡器的原理 | 第55-56页 |
·电感CCM 和DCM 工作 | 第56-58页 |
·振荡器的参数设计和振荡频率计算 | 第58-59页 |
·振荡器的启动 | 第59页 |
·振荡器的仿真波型 | 第59页 |
·软启动 | 第59-61页 |
·振荡器电容 C0 的调整 | 第61页 |
·调整管 | 第61-63页 |
·模式选择 | 第63-64页 |
·电路分析 | 第63-64页 |
·仿真结果 | 第64页 |
·驱动电路 | 第64-65页 |
·保护电路 | 第65-66页 |
·电路及原理说明 | 第65-66页 |
·参数选择 | 第66页 |
·环路的稳定 | 第66页 |
·整体电路仿真 | 第66-74页 |
·负载较重时仿真 | 第67-68页 |
·输出电压上升过程 | 第67页 |
·调整管上的波形 | 第67-68页 |
·流过负载的电流 | 第68页 |
·轻负载时仿真 | 第68-69页 |
·输出电压 | 第68页 |
·电感以及续流二极管上的电流 | 第68-69页 |
·调整管上的栅压 | 第69页 |
·轻负载时,调整管跨周期模式工作 | 第69页 |
·详细测试内容 | 第69-71页 |
·输出纹波峰峰值 | 第69页 |
·启动时间 | 第69-70页 |
·最大负载能力 | 第70页 |
·电感上的峰值电流 | 第70页 |
·开启时间 | 第70页 |
·关断时间 | 第70页 |
·调整管通过的最大电流 | 第70-71页 |
·调整管上的压降 | 第71页 |
·五个模型,三种温度下的仿真(固定5V 输出) | 第71-72页 |
·LX 短路保护 | 第72-73页 |
·外接可调输出(TT 模型,27℃) | 第73-74页 |
·仿真电路图 | 第73页 |
·输入5.5V,最大输出电压(负载100mA) | 第73页 |
·输入11.5V,可调输出电压范围(负载100mA) | 第73-74页 |
·芯片版图 | 第74页 |
·产品图 | 第74-75页 |
·芯片的测试 | 第75-80页 |
·基准的测试:(测试片) | 第75-76页 |
·电源抑制特性:(常温, A3, J2 to Vss) | 第76页 |
·LX 端短路保护 | 第76页 |
·开关管的导通电阻 | 第76-77页 |
·固定5V 输出时的占空比 | 第77页 |
·当外接分压电阻输出3V,3.3V 时,占空比的情况 | 第77-78页 |
·测试结果总汇 | 第78-80页 |
总结 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-83页 |
个人简历 | 第83页 |