应变硅CMOS器件的自热效应与热载流子效应

摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第一章 绪论	第9-13页
·应变硅CMOS器件的研究历史与发展现状	第9-11页
·应变硅技术的研究目的	第9-10页
·应变硅技术的发展历程	第10-11页
·应变硅CMOS器件的自热效应的研究意义	第11页
·应变硅CMOS器件热载流子效应的重要性	第11-12页
·本文的主要工作及内容安排	第12-13页
第二章 双轴应变硅CMOS器件的结构及工艺	第13-28页
·Si_(1-x)Ge_x固溶体	第13-18页
·晶格常数和失配率	第13-14页
·双轴应变硅材料的位错分析	第14-15页
·电学特性	第15-18页
·产生应变的机理	第18-26页
·应变硅技术分类	第19-22页
·双轴应变硅技术的原理分析	第22-26页
·应变硅CMOS器件的工艺实现	第26-27页
·小结	第27-28页
第三章 应变硅CMOS器件的自热效应	第28-47页
·自热效应产生的机理	第28-33页
·应变硅CMOS器件的自热模型	第28-31页
·应变硅CMOS器件自热效应的测量	第31-33页
·抑制自热效应的主要措施	第33-38页
·低温生长	第34-35页
·C掺杂	第35-36页
·HE离子注入	第36-38页
·体硅与应变硅器件的仿真性能比较	第38-42页
·器件的结构与仿真模型参数	第38-41页
·仿真结果及数据分析	第41-42页
·应变硅MOS器件的自热效应仿真	第42-45页
·小结	第45-47页
第四章 应变硅CMOS器件的热载流子效应	第47-54页
·热载流子效应的产生机理	第47-48页
·热载流子效应的测试技术	第48-49页
·热载流子效应对MOS器件性能的影响	第49-53页
·影响热载流子效应的主要因素	第49-50页
·应变硅NMOSFETS的热载流子退化	第50-53页
·小结	第53-54页
第五章结论与展望	第54-56页
致谢	第56-57页
参考文献	第57-61页
研究成果	第61-62页
附录	第62-69页