| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 光敏有机场效应管(photOFET)的发展和现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文选题目的和主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 光敏有机场效应管的理论基础 | 第14-29页 |
| 2.1 光敏有机场效应管的基本原理 | 第14-19页 |
| 2.1.1 光敏有机场效应管的结构 | 第14-16页 |
| 2.1.2 光敏有机场效应管的工作原理与模式 | 第16-17页 |
| 2.1.3 光敏有机场效应管的性能参数 | 第17-19页 |
| 2.2 有机异质结 | 第19-23页 |
| 2.2.1 有机异型异质结 | 第20-21页 |
| 2.2.2 有机同型异质结 | 第21-22页 |
| 2.2.3 有机体异质结 | 第22-23页 |
| 2.3 光敏有机场效应管功能层的材料 | 第23-26页 |
| 2.3.1 空穴传输材料 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电子传输材料 | 第24-25页 |
| 2.3.3 光敏感材料 | 第25-26页 |
| 2.4 光敏有机场效应管的制备方式 | 第26-29页 |
| 2.4.1 真空热蒸发镀膜 | 第26-27页 |
| 2.4.3 旋涂法成膜 | 第27-28页 |
| 2.4.4 其他薄膜制备方法 | 第28-29页 |
| 第三章 酞菁铅、并五苯薄膜表征与单层photOFET性能研究 | 第29-41页 |
| 3.1 薄膜与器件制备过程 | 第29-32页 |
| 3.1.1 材料和器件结构的选择 | 第29-30页 |
| 3.1.2 器件制备流程 | 第30-31页 |
| 3.1.3 器件测试方法 | 第31-32页 |
| 3.2 薄膜表征分析 | 第32-34页 |
| 3.2.1 紫外可见吸收光谱 | 第32页 |
| 3.2.2 薄膜AFM分析 | 第32-34页 |
| 3.3 单层酞菁铅(PbPc)photOFET | 第34-38页 |
| 3.3.1 PbPc/Au单层photOFET | 第34-35页 |
| 3.3.2 PbPc/Ag单层photOFET | 第35-38页 |
| 3.4 单层并五苯(Pent)photOFET | 第38-41页 |
| 3.4.1 并五苯/Au单层photOFET | 第38-39页 |
| 3.4.2 并五苯/Ag单层photOFET | 第39-41页 |
| 第四章 Pent/PbPc同型异质结photOFET性能研究 | 第41-53页 |
| 4.1 同型异质结与金电极的photOFET | 第41-43页 |
| 4.2 同型异质结与银电极的photOFET | 第43-46页 |
| 4.3 同型异质结与其他电极的photOFET | 第46-47页 |
| 4.4 并五苯厚度对同型异质结photOFET性能的影响 | 第47-53页 |
| 4.4.1 20nm并五苯的同型异质结photOFET | 第47-48页 |
| 4.4.2 35nm并五苯的同型异质结photOFET | 第48-49页 |
| 4.4.3 50nm并五苯的同型异质结photOFET | 第49-53页 |
| 第五章 Pent/PbPc同型异质结与C60/PbPc异型异质结性能比较 | 第53-61页 |
| 5.1 C60单层photOFET的性能研究 | 第53-55页 |
| 5.1.1 C60单层photOFET | 第53-54页 |
| 5.1.2 C60与并五苯的单层photOFET性能对比 | 第54-55页 |
| 5.2 C60/PbPc异型异质结photOFET的性能研究 | 第55-58页 |
| 5.2.1 C60/PbPc异型异质结photOFET | 第55-57页 |
| 5.2.2 基于C60/PbPc和Pent/PbPc的photOFET性能对比 | 第57-58页 |
| 5.3 基于C60/PbPc和Pent/PbPc的photOFET的稳定性对比 | 第58-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 在学期间研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
