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小功率射频静电感应晶体管的设计

中文摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第8-19页
    1.1 引言第8-13页
        1.1.1 静电感应器件简介第8-11页
        1.1.2 静电感应器件的特点及应用第11-13页
    1.2 静电感应器件的结构第13-16页
        1.2.1 典型结构第13-16页
        1.2.2 不同材料的静电感应器件第16页
    1.3 射频静电感应器件第16-17页
    1.4 主要研究内容第17-19页
第二章 静电感应晶体管基本作用理论第19-32页
    2.1 SIT的I-V特性第19-20页
    2.2 SIT的作用理论第20-26页
        2.2.1 小电流的分析第21-23页
        2.2.2 中、大电流的分析第23-26页
    2.3 电性能的控制第26-32页
第三章 结构与版图设计第32-57页
    3.1 晶体管设计概述第32-33页
    3.2 制作材料的选择第33-37页
        3.2.1 外延层参数的确定第33-35页
        3.2.2 器件厚度的确定第35-36页
        3.2.3 芯片晶向的确定第36-37页
    3.3 结构参数的设计第37-48页
        3.3.1 沟道宽度d_c第37-40页
        3.3.2 沟道长度L_c第40-45页
        3.3.3 源条宽度W_s第45页
        3.3.4 栅体厚度W_t第45页
        3.3.5 栅体设计的总体考虑第45-46页
        3.3.6 栅-漏间距l_(gd)第46-48页
    3.4 版图设计第48-54页
        3.4.1 版图设计规则第48-49页
        3.4.2 栅-源注入窗口第49-50页
        3.4.3 硼原子注入版第50-51页
        3.4.4 砷原子注入版第51-52页
        3.4.5 通孔版第52页
        3.4.6 反刻金版第52-53页
        3.4.7 PAD版第53-54页
    3.5 制作工艺研究第54-56页
    3.6 封装形式第56-57页
第四章 性能测试与分析第57-65页
    4.1 电气性能测试第57-58页
    4.2 主要电学参数分析第58-65页
        4.2.1 电压放大系数μ第59-60页
        4.2.2 跨导g_m第60-61页
        4.2.3 微分漏电阻r_d第61页
        4.2.5 模式转换电压V_(TR)第61-62页
        4.2.6 击穿电压第62-63页
        4.2.7 C-V特性第63-65页
第五章 结论与展望第65-66页
    5.1 主要结论第65页
    5.2 工作展望第65-66页
参考文献第66-69页
在学期间的研究成果第69-70页
致谢第70页

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