小功率射频静电感应晶体管的设计
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-13页 |
| 1.1.1 静电感应器件简介 | 第8-11页 |
| 1.1.2 静电感应器件的特点及应用 | 第11-13页 |
| 1.2 静电感应器件的结构 | 第13-16页 |
| 1.2.1 典型结构 | 第13-16页 |
| 1.2.2 不同材料的静电感应器件 | 第16页 |
| 1.3 射频静电感应器件 | 第16-17页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 静电感应晶体管基本作用理论 | 第19-32页 |
| 2.1 SIT的I-V特性 | 第19-20页 |
| 2.2 SIT的作用理论 | 第20-26页 |
| 2.2.1 小电流的分析 | 第21-23页 |
| 2.2.2 中、大电流的分析 | 第23-26页 |
| 2.3 电性能的控制 | 第26-32页 |
| 第三章 结构与版图设计 | 第32-57页 |
| 3.1 晶体管设计概述 | 第32-33页 |
| 3.2 制作材料的选择 | 第33-37页 |
| 3.2.1 外延层参数的确定 | 第33-35页 |
| 3.2.2 器件厚度的确定 | 第35-36页 |
| 3.2.3 芯片晶向的确定 | 第36-37页 |
| 3.3 结构参数的设计 | 第37-48页 |
| 3.3.1 沟道宽度d_c | 第37-40页 |
| 3.3.2 沟道长度L_c | 第40-45页 |
| 3.3.3 源条宽度W_s | 第45页 |
| 3.3.4 栅体厚度W_t | 第45页 |
| 3.3.5 栅体设计的总体考虑 | 第45-46页 |
| 3.3.6 栅-漏间距l_(gd) | 第46-48页 |
| 3.4 版图设计 | 第48-54页 |
| 3.4.1 版图设计规则 | 第48-49页 |
| 3.4.2 栅-源注入窗口 | 第49-50页 |
| 3.4.3 硼原子注入版 | 第50-51页 |
| 3.4.4 砷原子注入版 | 第51-52页 |
| 3.4.5 通孔版 | 第52页 |
| 3.4.6 反刻金版 | 第52-53页 |
| 3.4.7 PAD版 | 第53-54页 |
| 3.5 制作工艺研究 | 第54-56页 |
| 3.6 封装形式 | 第56-57页 |
| 第四章 性能测试与分析 | 第57-65页 |
| 4.1 电气性能测试 | 第57-58页 |
| 4.2 主要电学参数分析 | 第58-65页 |
| 4.2.1 电压放大系数μ | 第59-60页 |
| 4.2.2 跨导g_m | 第60-61页 |
| 4.2.3 微分漏电阻r_d | 第61页 |
| 4.2.5 模式转换电压V_(TR) | 第61-62页 |
| 4.2.6 击穿电压 | 第62-63页 |
| 4.2.7 C-V特性 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-66页 |
| 5.1 主要结论 | 第65页 |
| 5.2 工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 在学期间的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
