首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

立方氮化硼晶体掺杂工艺及特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 cBN 的研究进展及存在的问题第10-14页
        1.2.1 cBN 材料研究进展第10-11页
        1.2.2 cBN 掺杂研究进展第11-14页
        1.2.3 cBN 目前研究的难点问题第14页
    1.3 本论文的主要研究工作第14-16页
第二章 cBN 晶体相关物理性质及表征方法第16-28页
    2.1 氮化硼的晶体结构第16-18页
        2.1.1 氮化硼材料的同分异构体第16-17页
        2.1.2 cBN 晶体结构第17-18页
    2.2 cBN 晶体相关物理性质第18-24页
        2.2.1 cBN 的电学性质第20-22页
        2.2.2 cBN 的能带结构第22页
        2.2.3 cBN 的光学性质第22-24页
        2.2.4 cBN 的热导率第24页
    2.3 cBN 的生长方法第24-25页
    2.4 cBN 的表征方法第25-28页
        2.4.1 X 射线光电子能谱第25-26页
        2.4.2 扫描电子显微镜第26-27页
        2.4.3 能量色散光谱第27-28页
第三章 立方氮化硼热扩散工艺及其相关实验研究第28-41页
    3.1 热扩散原理第28-31页
        3.1.1 扩散的微观机制第28-29页
        3.1.2 热扩散的统计学规律第29-31页
    3.2 cBN 的热扩散实验及结果测量第31-39页
        3.2.1 扩散过程第31-32页
        3.2.2 掺硅 cBN 样品的 I-V 特性分析与激活能的测量结果第32-33页
        3.2.3 cBN 样品 XPS 光谱分析第33-39页
    3.3 小结第39-41页
第四章 立方氮化硼离子注入工艺及其相关实验研究第41-53页
    4.1 离子注入原理第41-43页
    4.2 离子注入仿真软件第43页
    4.3 离子注入实验过程与测量结果第43-52页
        4.3.1 离子注入过程和 SRIM 模拟结果第43-48页
        4.3.2 XPS 光谱分析第48-50页
        4.3.3 SEM 观察与 EDS 光谱分析第50-51页
        4.3.4 Be 离子注入样品电流电压测量第51-52页
    4.4 小结第52-53页
第五章 结论与展望第53-54页
参考文献第54-61页
作者简介及科研成果第61-62页
致谢第62页

论文共62页,点击 下载论文
上一篇:基于并五苯/酞菁铅异质结的近红外光敏有机场效应晶体管
下一篇:1949年以来中国体育名人形象的媒介呈现研究