半导体晶体材料机械刻划加工表面创成机理研究
| 摘要 | 第11-13页 |
| ABSTRACT | 第13-15页 |
| 第1章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 纳米加工技术的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2 基于AFM机械刻划加工工艺的研究 | 第17-19页 |
| 1.3 基于AFM的机械刻划加工变形的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3.1 脆性材料纳米加工变形研究 | 第19-20页 |
| 1.3.2 单晶塑性材料纳米加工变形研究 | 第20页 |
| 1.3.3 非晶材料纳米加工过程机理研究 | 第20-21页 |
| 1.4 存在问题 | 第21页 |
| 1.5 研究目的和意义 | 第21页 |
| 1.6 研究内容 | 第21-24页 |
| 第2章 压痕/刻划中半导体晶体材料的力学响应 | 第24-46页 |
| 2.1 实验方法 | 第24-25页 |
| 2.2 压痕实验中半导体晶体材料的力学响应 | 第25-35页 |
| 2.2.1 载荷-位移曲线分析 | 第26-30页 |
| 2.2.2 压痕的深度 | 第30-31页 |
| 2.2.3 压痕形状与压痕表面 | 第31-34页 |
| 2.2.4 压痕中的裂纹生成 | 第34-35页 |
| 2.3 刻划实验中半导体晶体材料的力学响应 | 第35-43页 |
| 2.3.1 刻划槽深 | 第37-39页 |
| 2.3.2 刻划槽形与槽面 | 第39-41页 |
| 2.3.3 刻划中的材料断裂 | 第41-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第3章 基于位错运动和相变的刻划加工表面创成机理 | 第46-54页 |
| 3.1 单晶硅、单晶锗的晶体结构 | 第46页 |
| 3.2 力学响应行为的晶体学理论模型 | 第46-51页 |
| 3.2.1 位错理论模型 | 第46-47页 |
| 3.2.2 相变理论模型 | 第47-51页 |
| 3.3 刻划加工中的弹塑性形变 | 第51-52页 |
| 3.3.1 弹塑性形变 | 第51-52页 |
| 3.3.2 弹塑性变形的临界条件 | 第52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 纳米机械刻划加工表面创成机理仿真研究 | 第54-72页 |
| 4.1 分子动力学仿真模型建立 | 第54-57页 |
| 4.1.1 分子动力学仿真方法 | 第54-56页 |
| 4.1.2 分子动力学仿真模型 | 第56-57页 |
| 4.2 纳米机械压痕过程仿真 | 第57-62页 |
| 4.3 纳米机械刻划过程仿真 | 第62-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第5章 微纳米机械刻划加工工艺及表面稳定性研究 | 第72-88页 |
| 5.1 AFM系统的工作原理 | 第72-73页 |
| 5.2 实验方法 | 第73-75页 |
| 5.3 半导体晶体材料的AFM刻划工艺实验 | 第75-77页 |
| 5.4 AFM纳米机械刻划槽深与槽宽 | 第77-81页 |
| 5.4.1 刻划槽深 | 第77-80页 |
| 5.4.2 刻划槽宽 | 第80-81页 |
| 5.5 AFM纳米机械刻划加工表面质量分析 | 第81-87页 |
| 5.6 本章小结 | 第87-88页 |
| 结论与展望 | 第88-92页 |
| 参考文献 | 第92-100页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果及获得的奖励 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第103页 |
