碲镉汞和铜锌锡硫材料带边电子结构的光学表征
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 半导体中电子能带 | 第12-13页 |
| 1.2 碲镉汞材料 | 第13-14页 |
| 1.2.1 研究背景 | 第13页 |
| 1.2.2 研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 铜锌锡硫薄膜材料 | 第14-16页 |
| 1.3.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.3.2 研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 实验方法及样品信息 | 第21-31页 |
| 2.1 实验系统及原理 | 第21-23页 |
| 2.2 基于FTIR光谱表征方法 | 第23-25页 |
| 2.2.1 吸收/透射谱 | 第23-24页 |
| 2.2.2 反射谱 | 第24页 |
| 2.2.3 光致发光(PL)谱 | 第24页 |
| 2.2.4 光电流(PC)谱 | 第24-25页 |
| 2.3 样品信息 | 第25-26页 |
| 2.3.1 碲镉汞样品 | 第25页 |
| 2.3.2 铜锌锡硫样品 | 第25-26页 |
| 2.4 实验操作 | 第26-28页 |
| 2.4.1 碲镉汞样品实验 | 第26-27页 |
| 2.4.2 铜锌锡硫样品实验 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 碲镉汞外延膜结果及分析 | 第31-47页 |
| 3.1 带边电子能级光学跃迁机理 | 第31-32页 |
| 3.2 实验结果及分析 | 第32-35页 |
| 3.3 模型建立与讨论 | 第35-42页 |
| 3.3.1 费米能级函数 | 第35-38页 |
| 3.3.2 计算结果及分析 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第四章 铜锌锡硫薄膜/器件结果及分析 | 第47-62页 |
| 4.1 CZTS材料关键参数的光学表征 | 第47-48页 |
| 4.2 实验结果分析 | 第48-56页 |
| 4.2.1 反射谱 | 第48-50页 |
| 4.2.2 透射谱 | 第50页 |
| 4.2.3 PL谱 | 第50-53页 |
| 4.2.4 PC谱 | 第53-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
