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基于演化计算的纳米电子系统可靠性设计方法研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第1章 绪论第13-21页
    1.1 研究背景第13-15页
        1.1.1 传统CMOS技术第13-14页
        1.1.2 新兴纳米技术第14-15页
    1.2 纳米电子系统可靠性问题概述第15-16页
    1.3 国内外研究现状第16-18页
        1.3.1 纳米Crossbar容差异逻辑映射第16-17页
        1.3.2 电子系统鲁棒设计第17-18页
    1.4 本文的主要工作内容和组织安排第18-20页
    1.5 本章小结第20-21页
第2章 纳米Crossbar结构及其容差异逻辑映射第21-35页
    2.1 纳米Crossbar第21-26页
        2.1.1 Nano-PLA结构第23-24页
        2.1.2 基于场效应管的Crossbar第24-25页
        2.1.3 CMOL混合结构第25-26页
    2.2 纳米Crossbar的延时模型第26-29页
        2.2.1 基于二极管Crossbar的延时模型第26-28页
        2.2.2 基于场效应管Crossbar的延时模型第28-29页
    2.3 纳米Crossbar容差异逻辑映射第29-34页
        2.3.1 Crossbar结构的矩阵逻辑映射模型第30-32页
        2.3.2 Crossbar结构的二部图逻辑映射模型第32-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第3章 基于多目标Memetic算法的容差异逻辑映射第35-55页
    3.1 基于纳米Crossbar的多目标容差异逻辑映射第35-37页
    3.2 多目标优化问题的定义第37-38页
    3.3 多目标优化问题的常见处理方法第38-45页
        3.3.1 传统的聚合子目标方法第38-40页
        3.3.2 多目标进化算法第40-45页
    3.4 多目标Memetic算法第45-50页
        3.4.1 算法框架第46页
        3.4.2 个体编码第46-47页
        3.4.3 贪婪重分配局部搜索算子第47-48页
        3.4.4 选择、交叉和变异算子第48-50页
    3.5 实验结果和分析第50-53页
        3.5.1 实验设置第51页
        3.5.2 实验结果和分析第51-53页
    3.6 本章小结第53-55页
第4章 基于双层优化算法的容差异逻辑映射第55-83页
    4.1 纳米Crossbar容差异逻辑映射问题的双层优化模型第56-58页
    4.2 双层优化算法简介第58-61页
        4.2.1 双层优化问题的传统解决方法第58-59页
        4.2.2 基于进化算法的双层优化问题研究概况第59-61页
    4.3 基于匈牙利算法的线性规划算法第61-67页
        4.3.1 问题模型第61-63页
        4.3.2 基于匈牙利算法的线性规划算法第63-67页
    4.4 基于双层优化算法的容差异逻辑映射第67-73页
    4.5 实验结果和分析第73-81页
        4.5.1 实验设置第73-75页
        4.5.2 实验结果第75-81页
    4.6 本章小结第81-83页
第5章 基于混合评估方式的进化算法的电路鲁棒设计第83-99页
    5.1 电路鲁棒设计简介第83-87页
        5.1.1 电路鲁棒设计定义第84-85页
        5.1.2 电路最差情况分析与设计第85-87页
    5.2 最差情况分析方法第87-90页
        5.2.1 端点分析第88页
        5.2.2 蒙特卡罗分析第88-90页
    5.3 算法设计第90-94页
        5.3.1 基于混合评估方式的差分进化算法框架第91-92页
        5.3.2 交叉、变异和选择算子第92-94页
    5.4 实验与结果分析第94-97页
        5.4.1 实验设置第94-95页
        5.4.2 实验结果第95-97页
    5.5 本章小结第97-99页
第6章 总结与展望第99-101页
    6.1 全文总结第99-100页
    6.2 未来展望第100-101页
参考文献第101-111页
致谢第111-113页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第113页

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