| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第7-14页 |
| 1.1 集成电路的发展现状 | 第7页 |
| 1.2 功率半导体器件的发展现状 | 第7-8页 |
| 1.3 功率MOSFET的发展现状 | 第8-12页 |
| 1.4 失效分析 | 第12页 |
| 1.5 选题的依据与意义 | 第12-14页 |
| 第二章 沟槽栅MOSFET基本原理与工艺介绍 | 第14-23页 |
| 2.1 沟槽栅MOSFET的结构和工作原理 | 第14-15页 |
| 2.2 沟槽栅MOSFET元胞结构 | 第15-16页 |
| 2.3 沟槽栅MOSFET的特性参数 | 第16-20页 |
| 2.4 沟槽栅MOSFET工艺流程 | 第20-23页 |
| 第三章 失效分析技术与设备简介 | 第23-33页 |
| 3.1 失效分析目的与意义 | 第23-24页 |
| 3.2 失效分析流程 | 第24-25页 |
| 3.3 芯片级失效分析的分类 | 第25-26页 |
| 3.4 失效分析设备 | 第26-33页 |
| 第四章 沟槽栅MOSFET芯片级失效分析 | 第33-49页 |
| 4.1 多晶硅残留引起IGSS失效 | 第33-35页 |
| 4.2 芯片边缘色差引起V_(TH)/IDSS失效 | 第35-38页 |
| 4.3 晶格位错引起V_(TH)失效 | 第38-40页 |
| 4.4 接触孔刻蚀过深引起IDSS失效 | 第40-42页 |
| 4.5 铝尖刺引起BVDSS失效 | 第42-44页 |
| 4.6 多晶硅空洞引起BVDSS失效 | 第44-46页 |
| 4.7 接触孔位置偏移引起R_(DS(ON))失效 | 第46-47页 |
| 4.8 异常注入层引起IDSS失效 | 第47-49页 |
| 第五章 分离栅沟槽MOSFET芯片级失效分析 | 第49-56页 |
| 5.1 分离栅沟槽MOSFET结构 | 第49页 |
| 5.2 分离栅沟槽MOSFET工艺流程 | 第49-50页 |
| 5.3 栅极多晶硅残留引起IGSS失效 | 第50-52页 |
| 5.4 沟槽台阶损伤引起IGSS失效 | 第52-54页 |
| 5.5 二层多晶硅之间的氧化层过薄引起IGSS失效 | 第54-56页 |
| 第六章 总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
