Spice兼容的MOSFET电离辐照模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 辐照损伤理论基础 | 第17-32页 |
| 2.1 辐照源分类解析 | 第17-18页 |
| 2.2 MOS晶体管氧化层中的带电粒子和陷阱形成 | 第18-21页 |
| 2.3 辐照损伤理论概述 | 第21-25页 |
| 2.3.1 电子空穴对产生及输运 | 第21-23页 |
| 2.3.2 氧化层有效电荷陷阱的产生 | 第23-25页 |
| 2.4 辐照环境下MOS器件性能退化的规律 | 第25-29页 |
| 2.4.1 阈值电压漂移 | 第25-27页 |
| 2.4.2 泄漏电流变化 | 第27-29页 |
| 2.4.3 跨导退化 | 第29页 |
| 2.5 影响器件辐照效应的因素 | 第29-31页 |
| 2.6 本章总结 | 第31-32页 |
| 第三章 辐照实验及结果分析 | 第32-43页 |
| 3.1 辐照条件与试验样品 | 第32-34页 |
| 3.2 实验数据分析 | 第34-42页 |
| 3.2.1 转移特性曲线 | 第34-36页 |
| 3.2.2 不同栅偏压对器件性能退化的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 跨导 | 第38-39页 |
| 3.2.4 输出特性曲线 | 第39-41页 |
| 3.2.5 关态漏电流 | 第41-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 氧化层有效电荷陷阱和漏电流建模 | 第43-59页 |
| 4.1 辐照损伤模型 | 第43-51页 |
| 4.1.1 阈值电压漂移模型 | 第43-46页 |
| 4.1.2 场区漏电流模型 | 第46-51页 |
| 4.2 仿真结果及分析 | 第51-53页 |
| 4.3 第三方数据拟合 | 第53-55页 |
| 4.4 电路评估 | 第55-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66-67页 |
