| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第9页 |
| 1.2 传统废弃荧光灯含汞废气处理现状 | 第9-10页 |
| 1.3 低温等离子体技术研究现状 | 第10-12页 |
| 1.4 主要研究内容和创新点 | 第12-14页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4.2 创新点 | 第13-14页 |
| 第2章 低温等离子体装置研发 | 第14-25页 |
| 2.1 低温等离子体脱汞技术 | 第14-15页 |
| 2.2 低温等离子体电源的研发 | 第15-16页 |
| 2.3 低温等离子体反应器的选择 | 第16-18页 |
| 2.4 脉冲低温等离子体装置的优选实验研究 | 第18-21页 |
| 2.4.1 实验主要装置 | 第18-19页 |
| 2.4.2 实验结果对比 | 第19-21页 |
| 2.5 烟气中汞的测试方法 | 第21-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 脉冲低温等离子体脱汞技术实验研究 | 第25-42页 |
| 3.1 实验原理 | 第25-26页 |
| 3.2 技术路线 | 第26页 |
| 3.3 实验系统与检测 | 第26-28页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第28-40页 |
| 3.4.1 模拟废气成分的选择 | 第28-29页 |
| 3.4.2 基础数据研究 | 第29-30页 |
| 3.4.3 电源参数对氧化率的影响 | 第30-33页 |
| 3.4.4 停留时间对氧化率的影响 | 第33-35页 |
| 3.4.5 Hg0初始浓度对氧化率的影响 | 第35页 |
| 3.4.6 O_2含量对氧化率的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.7 HC l对氧化率的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章脉冲低温等离子体脱汞技术工业应用 | 第42-53页 |
| 4.1 脉冲低温等离子体系统现场布置 | 第42-43页 |
| 4.2 试验系统与方法 | 第43-48页 |
| 4.2.1 试验仪器与设备 | 第43-47页 |
| 4.2.2 试验系统工况 | 第47页 |
| 4.2.3 试验方法 | 第47-48页 |
| 4.3 试验结果与讨论 | 第48-52页 |
| 4.3.1 脉冲低温等离子体电源对Hg0的氧化效果 | 第48-51页 |
| 4.3.2 脉冲低温等离子体系统对HgT的脱除效果 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |