| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 铁电薄膜及其信息存储器件 | 第9-13页 |
| 1.1.1 铁电薄膜材料及其铁电畴 | 第9-11页 |
| 1.1.2 基于铁电薄膜的信息存储器件 | 第11-13页 |
| 1.2 铁电畴动力学 | 第13-15页 |
| 1.3 飞秒激光泵浦探测技术及其应用 | 第15-17页 |
| 1.4 太赫兹电场的产生及其应用 | 第17-20页 |
| 1.4.1 飞秒激光激励产生太赫兹电场的原理 | 第17-18页 |
| 1.4.2 太赫兹场与材料的相互作用及应用 | 第18-20页 |
| 1.5 铁电畴超快翻转以及多尺度研究方法简介 | 第20-22页 |
| 1.6 本文的选题依据及主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 太赫兹电场激励BaTiO_3铁电体畴翻转的宏观尺度模拟 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 BaTiO_3晶体的结构以及性质 | 第24-25页 |
| 2.3 软声子简化模型的建立 | 第25-28页 |
| 2.4 太赫兹电场脉冲的时域模型 | 第28-29页 |
| 2.5 太赫兹电场脉冲激励BaTiO_3铁电体畴翻转的计算模拟 | 第29-32页 |
| 2.5.1 脉冲参数对BaTiO_3铁电体畴翻转阈值的影响 | 第29-31页 |
| 2.5.2 晶体自身参数对铁电畴翻转阈值的影响 | 第31-32页 |
| 2.6 太赫兹电场激励BaTiO_3铁电体畴翻转阈值的预测 | 第32-33页 |
| 2.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 太赫兹电场激励BaTiO_3铁电薄膜畴翻转的介观尺度模拟 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 相场理论简介 | 第34-35页 |
| 3.3 太赫兹电场时域模型 | 第35-37页 |
| 3.4 太赫兹电场激励不同畴构型BaTiO_3铁电薄膜的畴翻转 | 第37-44页 |
| 3.4.1 太赫兹电场激励BaTiO_3薄膜单畴翻转的过程 | 第37-40页 |
| 3.4.2 太赫兹电场激励BaTiO_3薄膜 90°畴翻转的过程 | 第40-42页 |
| 3.4.3 太赫兹电场激励BaTiO_3薄膜 180°畴翻转的过程 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 太赫兹电场激励BaTiO_3铁电薄膜畴翻转的微观尺度模拟 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 分子动力学方法简介 | 第46-48页 |
| 4.3 太赫兹电场简化模型的建立 | 第48-49页 |
| 4.4 模拟结果及其讨论 | 第49-55页 |
| 4.4.1 基本参数验证以及BaTiO_3薄膜基本性质模拟 | 第49-51页 |
| 4.4.2 外电场作用下BaTiO_3薄膜极化翻转过程模拟 | 第51-53页 |
| 4.4.3 太赫兹电场激励BaTiO_3薄膜极化翻转过程模拟 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 论文总结 | 第56-57页 |
| 5.2 研究展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
