切割单晶及多晶硅片表面层损伤研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·硅晶体的物理特性与应用 | 第9-15页 |
| ·单晶硅的物理特性与应用 | 第9-13页 |
| ·多晶硅的物理特性与应用 | 第13-15页 |
| ·硅片切割技术概述 | 第15-19页 |
| ·线切割硅片加工损伤及其检测方法 | 第19-22页 |
| ·亚表面损伤存在的形式 | 第19-20页 |
| ·表面损伤检测技术概述 | 第20-22页 |
| ·本课题的来源与研究内容 | 第22-24页 |
| 2 线切割硅片表面层损伤检测方法 | 第24-34页 |
| ·表面粗糙度检测试验方案 | 第24-25页 |
| ·表面形貌检测试验方案 | 第25页 |
| ·表面损伤检测方案 | 第25-28页 |
| ·截面显微观测法 | 第26-27页 |
| ·角度截面显微观测法 | 第27-28页 |
| ·表面损伤检测试样制备过程 | 第28-32页 |
| ·切片 | 第28-30页 |
| ·粘片 | 第30页 |
| ·研磨 | 第30-31页 |
| ·抛光 | 第31页 |
| ·腐蚀 | 第31-32页 |
| ·观察与测量 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 3 单晶硅表面层损伤结果检测与分析 | 第34-50页 |
| ·表面形貌 | 第34-35页 |
| ·表面粗糙度 | 第35-37页 |
| ·亚表面损伤 | 第37-48页 |
| ·硅片的损伤深度及微裂纹深度 | 第37-42页 |
| ·微裂纹密度分布研究 | 第42-44页 |
| ·微裂纹形状密度研究 | 第44-48页 |
| ·不同切割方法切割硅片亚表面损伤对比分析 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 多晶硅表面层损伤结果检测与分析 | 第50-55页 |
| ·表面形貌 | 第50页 |
| ·表面损伤 | 第50-54页 |
| ·LAS-PW的损伤深度及微裂纹深度分析 | 第50-52页 |
| ·LAS-PW的微裂纹密度分布研究 | 第52-53页 |
| ·LAS-PW的微裂纹形状密度研究 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
