| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 半导体互连工艺现状 | 第6-13页 |
| 第一节 集成电路的发展趋势 | 第6-7页 |
| 第二节 从铝互连到铜互连 | 第7-8页 |
| 第三节 铝互连与铜互连的不同工艺流程 | 第8-10页 |
| 第四节 铝焊接点层中氮化钽阻挡层的应用 | 第10-13页 |
| 第二章 氮化钽溅射工艺 | 第13-22页 |
| 第一节 溅射工艺简介 | 第13-16页 |
| 第二节 溅射工艺的阶梯覆盖率 | 第16-22页 |
| 第三章 问题描述及实验目的 | 第22-30页 |
| 第一节 铝焊接点上铜铝互扩散引起的可靠性问题 | 第22-23页 |
| 第二节 几种扩散现象及其形成机理的讨论 | 第23-25页 |
| 第三节 实验目的 | 第25页 |
| 第四节 实验材料和工具 | 第25-26页 |
| 第五节 实验内容 | 第26-30页 |
| 第四章 实验结果及分析讨论 | 第30-40页 |
| 第一节 不同薄膜生长设备之间的对比实验结果分析 | 第30-32页 |
| 第二节 工艺参数调整对比实验结果分析 | 第32-35页 |
| 第三节 氮化钽/钽不同比例复合膜的对比实验结果分析 | 第35-36页 |
| 第四节 工艺窗口选择确认 | 第36-37页 |
| 第五节 氮化钽薄膜组分分析和性能比较 | 第37-39页 |
| 第六节 讨论:基于成本考量的工艺优化 | 第39-40页 |
| 第五章 总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |