嵌入式SRAM的优化设计方法与测试技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·IC设计的现状及未来 | 第14-15页 |
| ·嵌入式SRAM在SOC设计中的地位和作用 | 第15-17页 |
| ·SRAM是SOC中重要的IP | 第15页 |
| ·嵌入式存储器分类 | 第15-16页 |
| ·嵌入式存储器的发展现状 | 第16-17页 |
| ·SOC设计的关键技术 | 第17-27页 |
| ·SOC基本概念 | 第17-18页 |
| ·SOC设计的关键技术 | 第18-26页 |
| ·SOC的发展趋势 | 第26-27页 |
| ·本文的主要研究工作和内容安排 | 第27-30页 |
| 第二章 SOC芯片测试技术 | 第30-44页 |
| ·测试的概念及意义 | 第30-31页 |
| ·芯片故障及其模型 | 第31-32页 |
| ·芯片测试分类 | 第32-35页 |
| ·固定故障测试 | 第32-33页 |
| ·时延测试 | 第33-34页 |
| ·IDDQ测试 | 第34页 |
| ·模拟和混合信号电路测试 | 第34-35页 |
| ·可测性设计技术 | 第35-41页 |
| ·扫描链测试设计 | 第35-39页 |
| ·边界扫描测试设计 | 第39-40页 |
| ·BIST测试设计 | 第40-41页 |
| ·SOC芯片对测试的要求 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 SRAM的高成品率优化设计 | 第44-60页 |
| ·存储器成品率的重要性 | 第44-45页 |
| ·SRAM的故障模型 | 第45-47页 |
| ·嵌入式存储器的BIST技术 | 第45-46页 |
| ·典型的存储器功能故障模型 | 第46-47页 |
| ·嵌入式存储器测试算法分析 | 第47-49页 |
| ·MBIST构成与工作原理 | 第47-48页 |
| ·常用的MBIST测试算法 | 第48-49页 |
| ·MARCH算法综述 | 第49-54页 |
| ·ATS和改进的ATS算法 | 第50页 |
| ·March C算法 | 第50-51页 |
| ·March C+算法 | 第51页 |
| ·March C-算法 | 第51-53页 |
| ·March-TB算法 | 第53-54页 |
| ·SRAM的高成品率优化方法 | 第54-58页 |
| ·SR SRAM | 第54-55页 |
| ·冗余逻辑 | 第55-56页 |
| ·电熔丝盒 | 第56页 |
| ·计算最佳冗余逻辑及fuse数目 | 第56-57页 |
| ·引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 SRAM的低功耗优化设计 | 第60-74页 |
| ·低功耗技术 | 第60-64页 |
| ·功耗估计技术 | 第60-61页 |
| ·动态功耗优化技术 | 第61-62页 |
| ·静态功耗优化技术 | 第62-63页 |
| ·低功耗处理器 | 第63-64页 |
| ·其他低功耗问题 | 第64页 |
| ·动态功耗估计方法 | 第64-69页 |
| ·动态功耗来源 | 第64-68页 |
| ·跳变功耗模型 | 第68-69页 |
| ·静态功耗估计方法 | 第69-70页 |
| ·SRAM的低功耗优化设计 | 第70-73页 |
| ·关闭非工作状态模块的电源 | 第70页 |
| ·隔离逻辑 | 第70-71页 |
| ·门控时钟 | 第71-72页 |
| ·操作数隔离 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 优化的SRAM在SOC中的应用 | 第74-94页 |
| ·SOC总体构架 | 第74页 |
| ·验证方法 | 第74-81页 |
| ·验证的基本概念 | 第75-76页 |
| ·模拟验证方法 | 第76-77页 |
| ·形式验证方法 | 第77-81页 |
| ·Onespin模型验证 | 第81-82页 |
| ·ModelSim仿真验证 | 第82-84页 |
| ·Pad控制逻辑设计 | 第84-86页 |
| ·综合处理与后端流程 | 第86-92页 |
| ·逻辑综合 | 第86-88页 |
| ·ASIC后端流程的基本内容 | 第88-91页 |
| ·SOC芯片综述 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 SOC的可测性设计 | 第94-114页 |
| ·SOC测试面临的挑战 | 第94-96页 |
| ·SOC芯片测试结构 | 第96-104页 |
| ·SOC与SOB测试的区别 | 第97-99页 |
| ·测试环基本结构 | 第99-100页 |
| ·IEEE P1500测试环结构简介 | 第100-103页 |
| ·内核测试语言 | 第103-104页 |
| ·SOC测试访问机制 | 第104-108页 |
| ·直接测试访问 | 第104页 |
| ·核透明化TAM机制 | 第104-105页 |
| ·基于总线的测试访问 | 第105-107页 |
| ·CAS-BUS测试访问机制 | 第107-108页 |
| ·测试调度问题 | 第108页 |
| ·SOC可测性设计实例 | 第108-112页 |
| ·SOC测试模式选择 | 第108-109页 |
| ·SOC测试模式实现 | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 第七章 SRAM的测试技术研究 | 第114-132页 |
| ·SRAM的可测性设计技术 | 第114-123页 |
| ·MBIST测试入口 | 第114-115页 |
| ·读E-fuse数据 | 第115-116页 |
| ·MBIST测试结构 | 第116-121页 |
| ·MBIST测试平台代码 | 第121-123页 |
| ·测试向量生成 | 第123-127页 |
| ·测试向量转换 | 第123-126页 |
| ·测试向量再仿真 | 第126-127页 |
| ·SRAM的测试方法及结果分析 | 第127-129页 |
| ·SRAM的测试方法 | 第127-128页 |
| ·SRAM的测试结果及分析 | 第128-129页 |
| ·本章小结 | 第129-132页 |
| 第八章 结束语 | 第132-134页 |
| ·结论 | 第132-133页 |
| ·展望 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-146页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第146-147页 |
