| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 选题依据及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 光电探测器工作机理分析 | 第12-18页 |
| 1.2.1 光电导效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光栅效应 | 第13-14页 |
| 1.2.3 光伏效应 | 第14-15页 |
| 1.2.4 光热电效应 | 第15-17页 |
| 1.2.5 光热辐射效应 | 第17-18页 |
| 1.3 新型二位层状纳米材料的研究近况及其在光电探测领域中的应用 | 第18-29页 |
| 1.3.1 基于过渡族金属硫化物的光电探测器 | 第18-22页 |
| 1.3.2 基于石墨烯的光电探测器 | 第22-26页 |
| 1.3.3 基于拓扑绝缘体的光电探测器 | 第26-29页 |
| 第二章 基于过渡族金属硫化物、拓扑绝缘体生长的研究 | 第29-43页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验设备 | 第30-31页 |
| 2.3 硫化钼的制备及应用 | 第31-37页 |
| 2.3.1 硫化钼的合成 | 第31-36页 |
| 2.3.2 硫化钼的应用 | 第36-37页 |
| 2.4 拓扑绝缘体碲化铋的制备及表征 | 第37-41页 |
| 2.4.1 碲化铋的生长 | 第37-38页 |
| 2.4.2 碲化铋的表征 | 第38-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 基于碲化钼-石墨烯异质结构光电探测器的研究 | 第43-60页 |
| 3.1 前言 | 第43-44页 |
| 3.2 器件制备及表征 | 第44-48页 |
| 3.3 材料表征 | 第48-50页 |
| 3.4 光电学测试 | 第50-56页 |
| 3.4.1 光电测试内容和测试手段 | 第50-51页 |
| 3.4.2 测试数据结果 | 第51-56页 |
| 3.5 结果分析 | 第56-59页 |
| 3.5.1 工作机理-异质结内部的光生载流子产生与传输 | 第56-58页 |
| 3.5.2 器件性能指标 | 第58-59页 |
| 3.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 基于拓扑绝缘体碲化锡光电探测器的研究 | 第60-69页 |
| 4.1 前言 | 第60-61页 |
| 4.2 器件制备及表征 | 第61-63页 |
| 4.3 材料表征 | 第63-65页 |
| 4.4 光电学测试 | 第65-67页 |
| 4.4.1 光电测试内容和测试手段 | 第65-66页 |
| 4.4.2 测试数据结果 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
