| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 双栅隧穿场效应晶体管简介 | 第8-9页 |
| 1.2 双栅隧穿场效应晶体管的基本性能 | 第9-11页 |
| 1.3 双栅隧穿场效应晶体管的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 研究背景与意义 | 第14-15页 |
| 第2章 双栅隧穿场效应晶体管的建模与仿真方法 | 第15-22页 |
| 2.1 建模仿真软件TCAD-ATLAS简介 | 第15-16页 |
| 2.2 双栅隧穿场效应晶体管的建模与仿真方法 | 第16-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管 | 第22-32页 |
| 3.1 引言 | 第22-23页 |
| 3.2 Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管开/关态时内部的能带分布 | 第23-25页 |
| 3.3 Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管工作时内部的电场分布 | 第25页 |
| 3.4 Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管的转移特性 | 第25-26页 |
| 3.5 漏区浓度对Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第26-29页 |
| 3.6 源区浓度对Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 Al_xGa_(1-x)Sb/GaAs异质结双栅隧穿场效应晶体管 | 第32-42页 |
| 4.1 引言 | 第32-33页 |
| 4.2 Al_xGa_(1-x)Sb/Ga As异质结双栅隧穿场效应晶体管中铝摩尔分数x的优化 | 第33-36页 |
| 4.3 栅氧化物层的厚度对Al_(0.05)Ga_(0.95)Sb异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第36-38页 |
| 4.4 温度对Al_(0.05)Ga_(0.95)Sb异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第38-39页 |
| 4.5 栅介电常数对Al_(0.05)Ga_(0.95)Sb异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第39-41页 |
| 4.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 Si_xGe_(1-x)/In_xGa_(1-x)P异质结双栅隧穿场效应晶体管 | 第42-53页 |
| 5.1 引言 | 第42-43页 |
| 5.2 Si_xGe_(1-x)/In_xGa_(1-x)P异质结双栅隧穿场效应晶体管中硅摩尔分数x的优化 | 第43-47页 |
| 5.3 Si_xGe_(1-x)/In_xGa_(1-x)P异质结双栅隧穿场效应晶体管中铟摩尔分数x的优化 | 第47-51页 |
| 5.4 温度对Si_(0.9)Ge_(0.1)/In_(0.01)Ga_(0.99)P异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响 | 第51-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 论文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录 | 第62-68页 |
| 附录 1 Ga SbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件 | 第62-64页 |
| 附录 2 Al_xGa_(1-x)Sb/Ga As异质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件 | 第64-66页 |
| 附录 3 Si_xGe_(1-x)/In_xGa_(1-x)P异质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件 | 第66-68页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
