| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第12-19页 |
| 1.1 集成电路的应用和发展 | 第12页 |
| 1.2 良率对集成电路制造的重要意义 | 第12-13页 |
| 1.3 良率和缺陷的关系 | 第13-14页 |
| 1.4 缺陷检测技术的发展 | 第14-15页 |
| 1.5 现阶段缺陷检测遇到的问题 | 第15-17页 |
| 1.6 研究方法和难点 | 第17-19页 |
| 第二章 缺陷检测相关工艺技术 | 第19-31页 |
| 2.1 缺陷检测系统简介 | 第19-22页 |
| 2.2 缺陷扫描机台 | 第22-27页 |
| 2.2.1 亮场机台简介 | 第22-24页 |
| 2.2.2 暗场机台简介 | 第24-27页 |
| 2.3 缺陷可视化机台简介 | 第27页 |
| 2.4 硅和多晶硅蚀刻工艺及常见缺陷 | 第27-30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 平均良率降低的改善 | 第31-49页 |
| 3.1 不匹配现象的原因及改善方法 | 第31-32页 |
| 3.2 硅和多晶硅蚀刻后缺陷检测中KLA扫描程式的优化 | 第32-46页 |
| 3.2.1 阈值，尺寸筛分，光斑类型对KLA扫描程式的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 焦距对KLA扫描程式的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.3 缺陷自动分类筛选法 | 第38-43页 |
| 3.2.4 边界比较模式 | 第43-46页 |
| 3.3 平均良率降低现象的改善 | 第46-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 部分产品良率过低的改善 | 第49-65页 |
| 4.1 部分产品良率过低的原因及改善方法 | 第49-51页 |
| 4.2 硅和多晶硅蚀刻后缺陷检测产能的改善 | 第51-58页 |
| 4.2.1 暗场机台入射光斑的选择 | 第51-52页 |
| 4.2.2 AIT扫描程式参数的研究 | 第52-55页 |
| 4.2.3 Compass扫描程式参数的研究 | 第55-56页 |
| 4.2.4 AIT和Compass扫描程式的比较及可靠性分析 | 第56-57页 |
| 4.2.5 缺陷检测流程的优化 | 第57-58页 |
| 4.3 缺陷检测中抽样模式的优化 | 第58-61页 |
| 4.3.1 对按照机台生产数量取样的分析 | 第59页 |
| 4.3.2 对按照机台生产时间取样的分析 | 第59-60页 |
| 4.3.3 对按机台状态的变化抽样的研究 | 第60-61页 |
| 4.4 部分产品良率过低的改善 | 第61-64页 |
| 4.5 小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第72-74页 |
