| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文的主要研究内容及安排 | 第14-16页 |
| 第二章 有限元模拟相关理论及方法 | 第16-24页 |
| 2.1 ANSYS软件简介 | 第16-17页 |
| 2.2 仿真流程及关键步骤 | 第17-20页 |
| 2.2.1 材料模型建立 | 第17-20页 |
| 2.2.1.1 塑性特性 | 第18页 |
| 2.2.1.2 蠕变特性 | 第18-20页 |
| 2.2.2 网格模型划分 | 第20页 |
| 2.2.3 边界约束条件加载和负载加载 | 第20页 |
| 2.3 焊锡可靠性分析方法 | 第20-22页 |
| 2.4 基于ANSYS的器件结构应力模拟方法 | 第22-24页 |
| 第三章 微带隔离器的温度冲击模拟方法及力学可靠性研究 | 第24-48页 |
| 3.1 建立ANSYS仿真模型 | 第24-28页 |
| 3.1.1 微带隔离器物理结构图及各部件材料模型 | 第24-25页 |
| 3.1.2 实体模型建立 | 第25-26页 |
| 3.1.3 网格模型建立 | 第26-28页 |
| 3.1.3.1 网格单元 | 第26-27页 |
| 3.1.3.2 网格划分 | 第27-28页 |
| 3.2 仿真模型的选择 | 第28-30页 |
| 3.2.1 三维 1/2 模型和三维完整模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 三维 1/2 模型和二维模型 | 第29-30页 |
| 3.3 温度冲击负载和边界约束条件的加载方法研究 | 第30-33页 |
| 3.3.1 温度冲击负载加载方法研究 | 第30-32页 |
| 3.3.2 边界约束条件加载方法研究 | 第32-33页 |
| 3.4 仿真误差的评估 | 第33-35页 |
| 3.4.1 网格质量检查 | 第33-35页 |
| 3.4.2 仿真误差计算 | 第35页 |
| 3.5 微带隔离器100个温度冲击仿真结果分析讨论 | 第35-48页 |
| 3.5.1 微带隔离器在温度冲击下的应力变化趋势及应力分布 | 第36-42页 |
| 3.5.1.1 微带隔离器在100个温度冲击下的应力变化趋势 | 第36-38页 |
| 3.5.1.2 微带隔离器在温度冲击下的最大应力分布 | 第38-42页 |
| 3.5.2 微带隔离器中铁氧体基片上的应力分布 | 第42-46页 |
| 3.5.2.1 铁氧体基片在100个温度冲击中的应力分布 | 第42-44页 |
| 3.5.2.2 铁氧体基片上应力极值区应力分析 | 第44-46页 |
| 3.5.3 微带隔离器的温度冲击仿真结果与热应力可靠性分析 | 第46-48页 |
| 第四章 空洞对微带隔离器在温度冲击下可靠性的影响 | 第48-60页 |
| 4.1 空洞的形成机理及ANSYS建模 | 第48-50页 |
| 4.1.1 空洞的形成机理 | 第48页 |
| 4.1.2 空洞的Ansys建模方法 | 第48-50页 |
| 4.2 空洞对微带隔离器可靠性的影响分析 | 第50-60页 |
| 4.2.1 空洞对焊锡疲劳特性的影响 | 第51-56页 |
| 4.2.2 空洞对铁氧体基片可靠性的影响 | 第56-60页 |
| 第五章 器件结构应力模拟方法及层叠结构体初始应力加载方法 | 第60-71页 |
| 5.1 基于ANSYS软件的SI/SIO_2/SI_3N_4器件结构残余应力模拟 | 第60-67页 |
| 5.1.1 Si/SiO_2/Si_3N_4结构的残余应力模拟方法分析 | 第60-63页 |
| 5.1.2 Si/SiO_2/Si_3N_4薄膜结构残余应力模拟 | 第63-67页 |
| 5.2 基于ANSYS软件的层叠结构体初始应力加载方法 | 第67-71页 |
| 5.2.1 层叠结构体的初始应力加载方法步骤 | 第67-68页 |
| 5.2.2 初始应力加载方法的仿真结果 | 第68-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78-79页 |
