| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 有机半导体材料 | 第10-15页 |
| 1.2.1 有机半导体材料简介 | 第10-13页 |
| 1.2.2 光敏有机半导体材料 | 第13-15页 |
| 1.3. 有机场效应管 | 第15-21页 |
| 1.3.1 器件结构 | 第16-17页 |
| 1.3.2 工作原理 | 第17-18页 |
| 1.3.3 制备工艺 | 第18-20页 |
| 1.3.4 光敏有机场效应管(photOFET) | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 稀土酞菁光敏有机半导体材料的制备与表征 | 第23-39页 |
| 2.1 金属酞菁及其合成方法 | 第23-25页 |
| 2.2 稀土酞菁配合物的合成方法 | 第25-26页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第26-28页 |
| 2.3.1 粉末表征 | 第26-27页 |
| 2.3.2 溶液表征 | 第27页 |
| 2.3.3 薄膜表征 | 第27-28页 |
| 2.4 NdPc_2、ErPc_2制备与表征 | 第28-39页 |
| 2.4.1 NdPc_2材料制备 | 第28-31页 |
| 2.4.2 ErPc_2材料制备 | 第31-33页 |
| 2.4.3 材料的元素分析及纯度计算 | 第33-34页 |
| 2.4.4 紫外可见吸收测试 | 第34-36页 |
| 2.4.5 X射线衍射(XRD)测试 | 第36-37页 |
| 2.4.6 原子力显微镜(AFM)测试 | 第37-39页 |
| 第三章 稀土酞菁photOFET制备及性能表征 | 第39-56页 |
| 3.1. photOFET器件的制备 | 第39-40页 |
| 3.1.1 NdPc_2-photOFET器件制备 | 第39-40页 |
| 3.1.2 ErPc_2-photOFET器件制备 | 第40页 |
| 3.2 NdPc_2-photOFET器件的性能表征 | 第40-51页 |
| 3.2.1 NdPc_2单层photOFET性能表征 | 第41-45页 |
| 3.2.2 C60/NdPc_2-photOFET性能表征 | 第45-49页 |
| 3.2.3 NdPc_2-photOFET性能优化理论分析 | 第49-51页 |
| 3.3 ErPc_2-photOFET器件的性能表征 | 第51-56页 |
| 3.3.1 ErPc_2单层photOFET性能表征 | 第51-53页 |
| 3.3.2 CuPc/ErPc_2-photOFET性能表征 | 第53-55页 |
| 3.3.3 ErPc_2-photOFET性能优化理论分析 | 第55-56页 |
| 第四章 结论及展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 在学期间的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
