| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 有机/无机光敏二极管研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2 开展本文研究的现实意义以及主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 p型有机小分子/硅异质结光敏二极管工作原理及特性 | 第13-20页 |
| 2.1 有机小分子/硅半导体异质结 | 第13-15页 |
| 2.1.1 有机/无机异质结(OIHJ)的形成 | 第13页 |
| 2.1.2 p型有机小分子/硅半导体异质结 | 第13-15页 |
| 2.2 有机小分子/硅异质结光敏二极管中的工作原理 | 第15-17页 |
| 2.3 表征有机小分子/硅异质结光敏二极管的主要参数 | 第17-18页 |
| 2.3.1 暗电流 | 第17-18页 |
| 2.3.2 量子效率和光响应度 | 第18页 |
| 2.3.3 光谱响应 | 第18页 |
| 2.3.4 响应速度 | 第18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-20页 |
| 第三章 p型有机小分子/硅异质结光敏二极管制备工艺与测试方法 | 第20-25页 |
| 3.1 硅片的清洗 | 第20-21页 |
| 3.1.1 传统工业标准湿法清洗 | 第20-21页 |
| 3.1.2 本文中的硅片清洗方法 | 第21页 |
| 3.2 薄膜制备 | 第21-23页 |
| 3.2.1 有机薄膜制备 | 第21-22页 |
| 3.2.2 金属电极制备 | 第22-23页 |
| 3.3 器件的电流-电压(I-V)性能测试 | 第23页 |
| 3.4 有机薄膜吸收光谱分析 | 第23-24页 |
| 3.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第四章 PTCDA/p-Si有机/硅异质结光敏二极管研究 | 第25-33页 |
| 4.1 引言 | 第25-26页 |
| 4.2 实验过程 | 第26页 |
| 4.3 性能测试与分析 | 第26-32页 |
| 4.3.1 I-V性能测试 | 第26-28页 |
| 4.3.2 PTCDA厚度对器件性能的影响 | 第28-30页 |
| 4.3.3 金属电极厚度对器件性能的影响 | 第30-32页 |
| 4.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第五章 宽光谱p型有机小分子/硅异质结光敏二极管研究 | 第33-42页 |
| 5.1 引言 | 第33-34页 |
| 5.2 PTCDA：CuPc/p-Si有机/硅异质结光敏二极管性能研究 | 第34-37页 |
| 5.2.1 实验过程 | 第35页 |
| 5.2.2 性能测试与分析 | 第35-37页 |
| 5.3 PTCDA:CuPc：PbPc/p-Si有机/硅异质结光敏二极管性能研究 | 第37-40页 |
| 5.3.1 实验过程 | 第38页 |
| 5.3.2 性能测试与分析 | 第38-40页 |
| 5.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第六章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 6.1 主要结论 | 第42页 |
| 6.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 在学期间研究成果 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
