| 摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN 的基本特性 | 第11-13页 |
| 1.3 GaN 晶体的制备 | 第13-18页 |
| 1.3.1 异质外延GaN的衬底材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 异质外延GaN的方法 | 第14-16页 |
| 1.3.3 HVPE 法异质外延GaN的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验平台及表征方法 | 第20-30页 |
| 2.1 HVPE法外延GaN的基本理论 | 第20-22页 |
| 2.1.1 HVPE法生长GaN的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 GaN的生长模型 | 第21-22页 |
| 2.2 HVPE生长系统简介 | 第22-23页 |
| 2.3 主要表征技术 | 第23-28页 |
| 2.3.1 AFM表征技术 | 第23-24页 |
| 2.3.2 SEM表征技术 | 第24-25页 |
| 2.3.3 XRD表征技术 | 第25-26页 |
| 2.3.4 PL表征技术 | 第26-27页 |
| 2.3.5 DIC表征技术 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 ZnO缓冲层的制备 | 第30-46页 |
| 3.1 蓝宝石衬底上ZnO缓冲层的制备 | 第30-33页 |
| 3.1.1 ZnO 缓冲层的性质和作用 | 第30-31页 |
| 3.1.2 磁控溅射镀膜原理 | 第31-33页 |
| 3.1.3 溅射ZnO的实验步骤 | 第33页 |
| 3.2 ZnO缓冲层工艺参数的优化 | 第33-43页 |
| 3.2.1 溅射功率对ZnO缓冲层的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.2 衬底温度对ZnO缓冲层的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 工作压强对ZnO缓冲层的影响 | 第39-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-46页 |
| 第四章 ZnO/cAl_2O_3上HVPE法外延GaN厚膜的研究 | 第46-60页 |
| 4.1 H V PE法外延GaN厚膜工艺条件的优化 | 第46-54页 |
| 4.1.1 Ⅴ/Ⅲ比 | 第46-51页 |
| 4.1.2 生长温度 | 第51-53页 |
| 4.1.3 载气种类 | 第53-54页 |
| 4.2 ZnO 缓冲层厚度对 Ga N 外延层的影响 | 第54-59页 |
| 4.2.1 GaN样品表面形态分析 | 第54-56页 |
| 4.2.2 GaN样品结晶质量分析 | 第56-58页 |
| 4.2.3 GaN样品光学特性分析 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
