大功率器件用氮化钨各向异性刻蚀工艺设计与实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-18页 |
| 1.2.1 半导体材料的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 刻蚀技术的研究与发展 | 第13-16页 |
| 1.2.3 氮化物半导体材料的研究 | 第16-18页 |
| 1.3 论文组织 | 第18-19页 |
| 1.4 设计指标 | 第19-20页 |
| 第二章 氮化钨各向异性刻蚀的机理 | 第20-31页 |
| 2.1 湿法刻蚀 | 第20-23页 |
| 2.1.1 湿法刻蚀的基本原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 湿法刻蚀的分类及优缺点 | 第21-22页 |
| 2.1.3 氮化物湿法刻蚀 | 第22-23页 |
| 2.2 干法刻蚀 | 第23-31页 |
| 2.2.1 干法刻蚀的原理 | 第23-26页 |
| 2.2.2 干法刻蚀的分类 | 第26-28页 |
| 2.2.3 氮化物干法刻蚀的主要方法 | 第28-31页 |
| 第三章 氮化钨各向异性刻蚀工艺方法及实验设备选择 | 第31-38页 |
| 3.1 氮化钨的刻蚀要求及其刻蚀方法 | 第31-34页 |
| 3.1.1 氮化钨刻蚀工艺的要求 | 第31页 |
| 3.1.2 氮化钨刻蚀方法 | 第31-34页 |
| 3.2 氮化钨刻蚀工艺实验设备及材料 | 第34-38页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第34-37页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第37-38页 |
| 第四章 氮化钨各向异性刻蚀工艺设计 | 第38-46页 |
| 4.1 主刻蚀工艺参数确定 | 第38-43页 |
| 4.1.1 功率和压力 | 第38-39页 |
| 4.1.2 气体流量 | 第39-40页 |
| 4.1.3 综合参数确定 | 第40-42页 |
| 4.1.4 主刻蚀工艺si损失量的确认 | 第42-43页 |
| 4.2 过刻蚀工艺的设计 | 第43页 |
| 4.3 刻蚀残留物的去除工艺 | 第43-46页 |
| 第五章 氮化钨各向异性刻蚀工艺验证及测试 | 第46-60页 |
| 5.1 主刻蚀工艺的验证 | 第46-47页 |
| 5.2 过刻蚀工艺的验证 | 第47-48页 |
| 5.3 刻蚀残留物去除工艺的验证 | 第48-49页 |
| 5.4 器件电学参数测试 | 第49-56页 |
| 5.4.1 测试目的 | 第49-50页 |
| 5.4.2 测试结果 | 第50-56页 |
| 5.5 设计指标验证 | 第56-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
