| 致谢 | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 部分短语中英文对照 | 第19-21页 |
| 符号与文字对照表 | 第21-22页 |
| 第1章 绪论 | 第22-44页 |
| 1.1 研究背景 | 第22-24页 |
| 1.2 研究目的 | 第24-26页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第26-41页 |
| 1.3.1 三维封装内EMI研究 | 第28-33页 |
| 1.3.2 三维封装外EMI研究 | 第33-41页 |
| 1.4 研究内容 | 第41-42页 |
| 1.5 论文的结构安排 | 第42-44页 |
| 第2章 TSV基本电磁模型和电磁特性 | 第44-64页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 三维封装中TSV电磁模型 | 第44-57页 |
| 2.2.1 TSV等效电路模型 | 第46-51页 |
| 2.2.2 RDL层等效电路模型 | 第51-54页 |
| 2.2.3 等效电路验证 | 第54-57页 |
| 2.3 三维封装中TSV电磁特性分析 | 第57-62页 |
| 2.3.1 TSV信号传输特性分析 | 第57-59页 |
| 2.3.2 TSV信号串扰特性分析 | 第59-62页 |
| 2.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第3章 三维封装内EMI问题的场-路协同仿真方法 | 第64-88页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 场-路协同仿真方法 | 第65-78页 |
| 3.2.1 散射矩阵方法 | 第65-72页 |
| 3.2.2 场路结合 | 第72-78页 |
| 3.3 场-路协同仿真方法验证 | 第78-87页 |
| 3.3.1 电感矩阵验证 | 第78-80页 |
| 3.3.2 互连结构电磁特性分析 | 第80-85页 |
| 3.3.3 实验验证 | 第85-87页 |
| 3.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第4章 基于近场幅度和相位扫描的等效辐射源分析封装外EMI干扰 | 第88-115页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 等效辐射源模型 | 第89-107页 |
| 4.2.1 电偶极子和磁偶极子 | 第89-98页 |
| 4.2.2 等效偶极子阵列模型 | 第98-105页 |
| 4.2.3 等效辐射源重构软件 | 第105-107页 |
| 4.3 等效辐射源分析电磁干扰和辐射 | 第107-114页 |
| 4.3.1 手机模块辐射特性分析 | 第107-110页 |
| 4.3.2 微带线电磁干扰分析 | 第110-114页 |
| 4.4 本章小结 | 第114-115页 |
| 第5章 基于无相位近场扫描的等效辐射源分析封装外EMI干扰 | 第115-139页 |
| 5.1 引言 | 第115页 |
| 5.2 基于无相位近场扫描和差分进化算法的等效辐射源 | 第115-125页 |
| 5.2.1 差分进化算法 | 第115-120页 |
| 5.2.2 等效辐射源模型 | 第120-123页 |
| 5.2.3 等效辐射源重构软件 | 第123-125页 |
| 5.3 无相位近场扫描平台 | 第125-128页 |
| 5.4 等效辐射源电磁特性分析 | 第128-138页 |
| 5.4.1 等效辐射源有效性验证 | 第129-133页 |
| 5.4.2 不同扫描高度的等效辐射源精度分析 | 第133-135页 |
| 5.4.3 不同扫描间距的等效辐射源精度分析 | 第135-138页 |
| 5.5 本章小结 | 第138-139页 |
| 第6章 三维封装双面电磁屏蔽结构设计 | 第139-152页 |
| 6.1 引言 | 第139页 |
| 6.2 新型双面电磁屏蔽结构设计及等效电路 | 第139-146页 |
| 6.2.1 新型双面电磁屏蔽结构设计 | 第139-141页 |
| 6.2.2 等效电路模型 | 第141-146页 |
| 6.3 新型双面电磁屏蔽结构性能验证 | 第146-148页 |
| 6.3.1 插入损耗改善 | 第146-147页 |
| 6.3.2 场分布改善 | 第147-148页 |
| 6.3.3 介质和金属损耗改善 | 第148页 |
| 6.4 设计指导规则 | 第148-151页 |
| 6.5 本章小结 | 第151-152页 |
| 第7章 结论与展望 | 第152-156页 |
| 7.1 结论 | 第152-154页 |
| 7.2 未来展望 | 第154-156页 |
| 参考文献 | 第156-166页 |
| 作者简介 | 第166-168页 |
