摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-55页 |
·“应变工程”简介 | 第13-46页 |
·应变的产生 | 第13-17页 |
·应变调控研究进展 | 第17-46页 |
·半导体能带的应变调控 | 第17-20页 |
·超导电性的应变调控 | 第20-21页 |
·铁电以及介电材料性能的应变调控 | 第21-24页 |
·单相多铁性薄膜电磁性能的应变调控 | 第24-28页 |
·复合多铁性材料的应变调控 | 第28-30页 |
·应变调控磁性以及输运性质 | 第30-46页 |
·本论文研究内容与关键科学问题 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-55页 |
第二章 应变调控磁性薄膜磁学性质理论基础 | 第55-70页 |
·磁各向异性简介 | 第55-59页 |
·单轴磁各向异性 | 第55-56页 |
·立方磁晶各向异性 | 第56-57页 |
·交换磁各向异性 | 第57-59页 |
·形状各向异性 | 第59页 |
·磁滞伸缩效应 | 第59-62页 |
·压电效应 | 第62-65页 |
·磁自由能以及磁电耦合响应的实现 | 第65-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
第三章 关键实验技术 | 第70-89页 |
·磁控溅射技术 | 第70-76页 |
·薄膜制备方法概述 | 第70-73页 |
·溅射 | 第73-76页 |
·直流和射频溅射 | 第73-74页 |
·磁控溅射 | 第74-76页 |
·薄膜的同步辐射高分辨X射线衍射表征技术简介 | 第76-82页 |
·X射线衍射基本原理 | 第76页 |
·同步辐射X射线衍射技术 | 第76-80页 |
·倒易空间扫描 | 第80-82页 |
·应变的定量表征(XRD) | 第82-83页 |
·原位电场偏置下磁性能以及低温输运性质的测量 | 第83-84页 |
·原位电场偏置下的输运性质测量平台的建立 | 第84-86页 |
·室温输运测量平台建立及其Labview控制程序 | 第84-85页 |
·磁电阻表征平台的建立 | 第85-86页 |
·本章小结 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-89页 |
第四章 应变调控磁性半导体氧化物Zn_(0.4)Fe_(2.6)O_(4)/PMN-0.3PT结的异质结构和性质研究 | 第89-107页 |
·引言 | 第89页 |
·靶材制备和薄膜生长 | 第89-90页 |
·靶材制备 | 第89-90页 |
·薄膜生长工艺和表征手段 | 第90页 |
·实验结果分析 | 第90-104页 |
·静态应变调控ZFO薄膜的结构和磁性能 | 第90-98页 |
·ZFO薄膜结构和电输运性质研究 | 第91-96页 |
·静态应变调控ZFO薄膜的磁化强度 | 第96-98页 |
·动态应变调控ZFO薄膜的结构和电磁性能 | 第98-104页 |
·动态应变的测量 | 第98-100页 |
·ZFO薄膜电阻的动态应变调控 | 第100-101页 |
·场效应对输运性质的影响 | 第101页 |
·ZFO薄膜磁化强度翻转的动态应变调控 | 第101-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-107页 |
第五章 LSMO/PMN-0.3PT外延异质结的剩余磁化强度和电输运性质各向异性应变调控 | 第107-121页 |
·引言 | 第107-108页 |
·靶材制备和薄膜生长 | 第108-109页 |
·靶材制备 | 第108页 |
·薄膜生长以及表征手段 | 第108-109页 |
·实验结果分析和讨论 | 第109-118页 |
·结构表征 | 第109-110页 |
·面内各向异性应变的测量 | 第110-111页 |
·面内各向异性应变调控LSMO的剩余磁化强度 | 第111-113页 |
·多态电阻的非挥发性应变调控 | 第113-118页 |
·本章小结 | 第118-119页 |
参考文献 | 第119-121页 |
第六章 磁隧道结/PMN-PT异质结输运性质的应变调控 | 第121-136页 |
·引言 | 第121-124页 |
·磁隧道结简介 | 第121-123页 |
·自旋阀/PMN-PT研究进展 | 第123-124页 |
·样品制备 | 第124-127页 |
·薄膜制备 | 第124-125页 |
·样品图案化、刻蚀以及表征 | 第125-127页 |
·实验结果分析和讨论 | 第127-133页 |
·磁滞迴线和原位电场下的磁电阻测量 | 第127-131页 |
·MTJ的伏安特性曲线 | 第131-133页 |
·本章小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-136页 |
第七章 结论和展望 | 第136-138页 |
致谢 | 第138-139页 |
硕博连读期间发表文章、专利、获得奖励以及参与项目和学术活动 | 第139-142页 |