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0.13微米逻辑电路负偏压温度不稳定性的改善

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-13页
1 引言第13-23页
   ·深亚微米技术面临的可靠性挑战第13-14页
   ·NBTI 的基本特性及危害第14-18页
   ·NBTI 的产生机制第18-21页
   ·现有0.13 微米逻辑电路NBTI 的现状及研究目标第21-23页
2 工艺改进实验设计第23-38页
   ·分析及测试方法第23-29页
     ·NBTI 的测试方法第23-24页
     ·电容-电压测试及分析第24-27页
     ·电荷泵测试第27-29页
   ·现有0.13 微米逻辑电路NBTI 的特性第29-31页
   ·实验设计第31-38页
     ·影响NBTI 特性的因素分析第32-36页
     ·实验计划第36-38页
3 前段工艺的改进第38-56页
   ·相关工艺步骤分析第38-42页
     ·0.13 微米逻辑电路制造工艺第38-40页
     ·相关工艺分析第40-42页
   ·前段工艺改进实验第42-50页
     ·牺牲氧化层去除工艺第42-44页
     ·栅极氧化层生长工艺第44-46页
     ·源漏极离子注入工艺第46-48页
     ·氢气退火工艺第48-50页
   ·前段工艺改进实验结果分析第50-56页
     ·牺牲氧化层过刻蚀实验结果第51-52页
     ·栅极氧化层生长实验结果第52-54页
     ·源漏极离子注入实验结果第54-56页
4 后段工艺的改进第56-62页
   ·后段工艺改进实验第56-60页
     ·氟化硅玻璃沉积工艺第56-58页
     ·内连线沟槽蚀刻工艺第58-59页
     ·高温合金化工艺第59-60页
   ·后段工艺改进实验结果分析第60-62页
5 实验结果的总结与应用第62-65页
6 结论与展望第65-67页
参考文献第67-70页
攻读学位期间发表的学术论文第70-72页

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