| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-13页 |
| 1 引言 | 第13-23页 |
| ·深亚微米技术面临的可靠性挑战 | 第13-14页 |
| ·NBTI 的基本特性及危害 | 第14-18页 |
| ·NBTI 的产生机制 | 第18-21页 |
| ·现有0.13 微米逻辑电路NBTI 的现状及研究目标 | 第21-23页 |
| 2 工艺改进实验设计 | 第23-38页 |
| ·分析及测试方法 | 第23-29页 |
| ·NBTI 的测试方法 | 第23-24页 |
| ·电容-电压测试及分析 | 第24-27页 |
| ·电荷泵测试 | 第27-29页 |
| ·现有0.13 微米逻辑电路NBTI 的特性 | 第29-31页 |
| ·实验设计 | 第31-38页 |
| ·影响NBTI 特性的因素分析 | 第32-36页 |
| ·实验计划 | 第36-38页 |
| 3 前段工艺的改进 | 第38-56页 |
| ·相关工艺步骤分析 | 第38-42页 |
| ·0.13 微米逻辑电路制造工艺 | 第38-40页 |
| ·相关工艺分析 | 第40-42页 |
| ·前段工艺改进实验 | 第42-50页 |
| ·牺牲氧化层去除工艺 | 第42-44页 |
| ·栅极氧化层生长工艺 | 第44-46页 |
| ·源漏极离子注入工艺 | 第46-48页 |
| ·氢气退火工艺 | 第48-50页 |
| ·前段工艺改进实验结果分析 | 第50-56页 |
| ·牺牲氧化层过刻蚀实验结果 | 第51-52页 |
| ·栅极氧化层生长实验结果 | 第52-54页 |
| ·源漏极离子注入实验结果 | 第54-56页 |
| 4 后段工艺的改进 | 第56-62页 |
| ·后段工艺改进实验 | 第56-60页 |
| ·氟化硅玻璃沉积工艺 | 第56-58页 |
| ·内连线沟槽蚀刻工艺 | 第58-59页 |
| ·高温合金化工艺 | 第59-60页 |
| ·后段工艺改进实验结果分析 | 第60-62页 |
| 5 实验结果的总结与应用 | 第62-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-72页 |