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深亚微米工艺下的单元时序建模研究

第一章 绪论第1-14页
 §1.1 静态时序分析第8-12页
  1.1.1 静态时序分析的特点第8-9页
  1.1.2 静态时序分析的基本概念第9-10页
  1.1.3 静态时序分析的基本算法第10-12页
 §1.2 时序分析面临的挑战第12-14页
第二章 传统单元时序模型第14-24页
 §2.1 模型分类第14-17页
  2.1.1 晶体管级延时模型第14-15页
  2.1.2 门级延时模型第15页
  2.1.3 模块级延时模型第15-17页
 §2.2 传统门级延时模型第17-24页
  2.2.1 K_FACTOR方程第17-20页
  2.2.2 查表模型第20-24页
第三章 深亚微米工艺下面临的时序问题第24-36页
 §3.1 IR_DROP现象第25-30页
  3.1.1 IR_DROP现象产生的原理第25-26页
  3.1.2 IR_DROP的影响第26-28页
  3.1.3 IR_DROP现象对单元时序的影响及传统解决方法第28-30页
 §3.2 RC负载第30-33页
  3.2.1 深亚微米下的单元负载第30-31页
  3.2.2 传统时序计算模型第31-33页
 §3.3 耦合问题(CROSSTALK)第33-36页
第四章 基于IR_DROP的时序分析第36-53页
 §4.1 基于IR_DROP的动态时序分析第36-40页
  4.1.1 算法流程第37-38页
  4.1.2 最坏情况分析第38-39页
  4.1.3 模型缺陷第39-40页
 §4.2 基于IR_DROP的静态时序分析第40-49页
  4.2.1 电源网格分析第40-42页
  4.2.2 基于IR_DROP的时序计算模型第42-46页
  4.2.3 实例分析第46-49页
  4.2.4 结论第49页
 §4.3 基于IR_DROP的时序库第49-53页
第五章 基于RC负载的时序分析第53-70页
 §5.1 等效电容模型第53-59页
  5.1.1 负载简化模型第53-56页
  5.1.2 等效电容C_(EFF)第56-59页
 §5.2 开关线性电阻模型第59页
 §5.3 有效电压源模型第59-63页
  5.3.1 有效电压源第60-61页
  5.3.2 模型电阻第61-62页
  5.3.3 模型特性第62-63页
 §5.4 有效电流源模型(ECSM)第63-68页
  5.4.1 原模型介绍第63-65页
  5.4.2 模型改进第65-68页
 §5.5 实例分析第68-69页
 §5.6 结论第69-70页
第六章 总结与展望第70-73页
参考文献第73-76页
致谢第76页

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