| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 背景 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状及行业动态 | 第18-21页 |
| 1.3 本文内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 氮化镓高电子迁移率晶体管概述 | 第23-33页 |
| 2.1 GaN概述 | 第23-25页 |
| 2.1.1 GaN材料 | 第23-24页 |
| 2.1.2 射频GaN材料的制备 | 第24-25页 |
| 2.2 GaNHEMT概述 | 第25-30页 |
| 2.2.1 GaNHEMT的发展 | 第25-26页 |
| 2.2.2 GaNHEMT器件 | 第26-27页 |
| 2.2.3 GaNHEMT器件模型 | 第27-29页 |
| 2.2.4 两种新型射频GaNHEMT器件 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 射频功率放大器基础 | 第33-47页 |
| 3.1 射频功率放大器的分类 | 第33-36页 |
| 3.1.1 A类功率放大器 | 第33-34页 |
| 3.1.2 B类功率放大器 | 第34页 |
| 3.1.3 AB类功率放大器 | 第34-35页 |
| 3.1.4 C类功率放大器 | 第35页 |
| 3.1.5 D类和E类功率放大器 | 第35页 |
| 3.1.6 F类功率放大器 | 第35-36页 |
| 3.2 功率放大器的射频指标 | 第36-38页 |
| 3.2.1 带宽 | 第36页 |
| 3.2.2 增益 | 第36页 |
| 3.2.3 输出功率 | 第36-37页 |
| 3.2.4 功率附加效率和漏极效率 | 第37页 |
| 3.2.5 交调失真和三阶交调截点 | 第37-38页 |
| 3.2.6 噪声 | 第38页 |
| 3.3 匹配电路的理论基础 | 第38-41页 |
| 3.3.1 阻抗匹配 | 第38-39页 |
| 3.3.2 Smith圆图 | 第39-40页 |
| 3.3.3 S参数 | 第40页 |
| 3.3.4 四分之一波长传输线 | 第40-41页 |
| 3.4 功率放大器的电路结构 | 第41-44页 |
| 3.4.1 功分器 | 第41-42页 |
| 3.4.2 耦合器 | 第42-44页 |
| 3.5 功率放大器的稳定性问题 | 第44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 500-600MHz700W功率放大器设计 | 第47-71页 |
| 4.1 功率管芯的选取 | 第47-48页 |
| 4.2 直流参数扫描 | 第48-49页 |
| 4.3 Load-Pull方法测管芯阻抗 | 第49-52页 |
| 4.4 直流偏置电路的仿真 | 第52-55页 |
| 4.5 推挽式结构的设计 | 第55-56页 |
| 4.6 原理图的设计 | 第56-59页 |
| 4.7 版图的设计 | 第59-61页 |
| 4.8 功率放大器的制作 | 第61-64页 |
| 4.9 功率放大器的测试与调试 | 第64-67页 |
| 4.10 稳定性网络的设计 | 第67-69页 |
| 4.11 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71页 |
| 5.2 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |