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电镀工艺优化对铜金属层孔洞缺陷的影响

摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 半导体互连工艺现状及趋势第12-15页
    1.2 从铝互连到铜互连发展的必然第15-17页
    1.3 铝互连与铜互连的不同工艺流程第17-19页
    1.4 论文的主要内容与章节安排第19-20页
第二章 电镀铜工艺介绍第20-27页
    2.1 电镀铜工艺基本概念第20页
    2.2 电镀铜工艺的机理第20-22页
    2.3 电镀工艺中化学添加剂的作用第22-25页
    2.4 电镀铜退火工艺第25-26页
    2.5 本章小结第26-27页
第三章 问题描述及实验目的第27-39页
    3.1 铜孔洞缺陷问题描述第27-36页
        3.1.1 铜互连中的电迁移及可靠性第29-30页
        3.1.2 铜孔洞缺陷与电迁移的关系第30-34页
        3.1.3 铜孔洞缺陷产生的几种机理第34-36页
    3.2 实验目的第36页
    3.3 实验材料和工具第36-37页
        3.3.1 材料第36页
        3.3.2 设备和仪器第36-37页
    3.4 实验内容第37-38页
    3.5 本章小结第38-39页
第四章 电镀铜工艺中晶片不同转速的实验第39-45页
    4.1 不同转速的实验方案设定第39页
    4.2 不同转速的实验结果与讨论第39-44页
        4.2.1 不同转速与孔洞缺陷的关系第39-42页
        4.2.2 不同转速对铜金属性质的影响第42-44页
    4.3 本章小结第44-45页
第五章 电镀铜工艺中不同退火工艺的实验第45-49页
    5.1 不同退火工艺的实验方案设定第45页
    5.2 不同退火工艺的实验结果与讨论第45-48页
        5.2.1 不同退火工艺与孔洞缺陷的关系第45-46页
        5.2.2 不同退火工艺对铜金属性质的影响第46-48页
    5.3 本章小结第48-49页
第六章 电镀铜后到CMP 前不同等待时间的实验第49-52页
    6.1 不同等待时间的实验方案设定第49页
    6.2 不同等待时间的实验结果与讨论第49-51页
        6.2.1 不同等待时间与孔洞缺陷的关系第49-50页
        6.2.2 不同等待时间对铜金属性质的影响第50-51页
    6.3 本章小结第51-52页
第七章 新工艺窗口选择与验证第52-55页
    7.1 工艺窗口选择第52页
    7.2 工艺窗口验证第52-54页
    7.3 本章小结第54-55页
第八章 总结与展望第55-57页
    8.1 本论文工作的总结第55页
    8.2 本论文的主要创新点第55-56页
    8.3 可进一步研究的工作第56-57页
参考文献第57-60页
附录1第60-61页
致谢第61-62页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第62页

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