电镀工艺优化对铜金属层孔洞缺陷的影响
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 半导体互连工艺现状及趋势 | 第12-15页 |
| 1.2 从铝互连到铜互连发展的必然 | 第15-17页 |
| 1.3 铝互连与铜互连的不同工艺流程 | 第17-19页 |
| 1.4 论文的主要内容与章节安排 | 第19-20页 |
| 第二章 电镀铜工艺介绍 | 第20-27页 |
| 2.1 电镀铜工艺基本概念 | 第20页 |
| 2.2 电镀铜工艺的机理 | 第20-22页 |
| 2.3 电镀工艺中化学添加剂的作用 | 第22-25页 |
| 2.4 电镀铜退火工艺 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 问题描述及实验目的 | 第27-39页 |
| 3.1 铜孔洞缺陷问题描述 | 第27-36页 |
| 3.1.1 铜互连中的电迁移及可靠性 | 第29-30页 |
| 3.1.2 铜孔洞缺陷与电迁移的关系 | 第30-34页 |
| 3.1.3 铜孔洞缺陷产生的几种机理 | 第34-36页 |
| 3.2 实验目的 | 第36页 |
| 3.3 实验材料和工具 | 第36-37页 |
| 3.3.1 材料 | 第36页 |
| 3.3.2 设备和仪器 | 第36-37页 |
| 3.4 实验内容 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 电镀铜工艺中晶片不同转速的实验 | 第39-45页 |
| 4.1 不同转速的实验方案设定 | 第39页 |
| 4.2 不同转速的实验结果与讨论 | 第39-44页 |
| 4.2.1 不同转速与孔洞缺陷的关系 | 第39-42页 |
| 4.2.2 不同转速对铜金属性质的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 电镀铜工艺中不同退火工艺的实验 | 第45-49页 |
| 5.1 不同退火工艺的实验方案设定 | 第45页 |
| 5.2 不同退火工艺的实验结果与讨论 | 第45-48页 |
| 5.2.1 不同退火工艺与孔洞缺陷的关系 | 第45-46页 |
| 5.2.2 不同退火工艺对铜金属性质的影响 | 第46-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 电镀铜后到CMP 前不同等待时间的实验 | 第49-52页 |
| 6.1 不同等待时间的实验方案设定 | 第49页 |
| 6.2 不同等待时间的实验结果与讨论 | 第49-51页 |
| 6.2.1 不同等待时间与孔洞缺陷的关系 | 第49-50页 |
| 6.2.2 不同等待时间对铜金属性质的影响 | 第50-51页 |
| 6.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第七章 新工艺窗口选择与验证 | 第52-55页 |
| 7.1 工艺窗口选择 | 第52页 |
| 7.2 工艺窗口验证 | 第52-54页 |
| 7.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第八章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 8.1 本论文工作的总结 | 第55页 |
| 8.2 本论文的主要创新点 | 第55-56页 |
| 8.3 可进一步研究的工作 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录1 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第62页 |
