改进的门单元多输入跳变电流源模型及其在SSTA中的应用
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-11页 |
| 1.1.1 集成电路的静态时序分析 | 第8页 |
| 1.1.2 门单元时延模型的发展 | 第8-9页 |
| 1.1.3 基于边界的STA及统计静态时序分析 | 第9-11页 |
| 1.2 本文的研究内容和主要贡献 | 第11-14页 |
| 1.3 论文结构 | 第14-16页 |
| 第二章 门单元时延模型 | 第16-23页 |
| 2.1 VRM模型 | 第16-17页 |
| 2.2 电流源模型 | 第17-22页 |
| 2.2.1 Blade模型 | 第18页 |
| 2.2.2 KTV模型 | 第18-19页 |
| 2.2.3 考虑非线性电容参数的模型 | 第19页 |
| 2.2.4 多端口电流源模型 | 第19-21页 |
| 2.2.5 多输入跳变电流源模型 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 改进的门单元多输入跳变电流源模型 | 第23-35页 |
| 3.1 二输入门单元输入端与内部节点间的密勒电容 | 第23-25页 |
| 3.2 多输入门单元的AMCSM模型 | 第25-26页 |
| 3.3 AMCSM模型参数的提取 | 第26-28页 |
| 3.4 输出波形的求解 | 第28-29页 |
| 3.5 实验结果 | 第29-33页 |
| 3.5.1 AMCSM模型精度 | 第29-33页 |
| 3.5.2 AMCSM模型速度 | 第33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 工艺偏差下的电路仿真 | 第35-45页 |
| 4.1 集成电路的工艺偏差 | 第35-36页 |
| 4.2 传统的电路时域仿真方法 | 第36-38页 |
| 4.3 工艺偏差下的电路仿真 | 第38-44页 |
| 4.3.1 基本电路方法 | 第39-40页 |
| 4.3.2 统计方法 | 第40-41页 |
| 4.3.3 预条件法 | 第41-43页 |
| 4.3.4 基于数据重用的增量仿真方法 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 考虑信号完整性问题的快速门级SSTA方法 | 第45-51页 |
| 5.1 传统的SSTA门时延模型及存在问题 | 第45页 |
| 5.2 考虑工艺偏差的门单元电流源模型 | 第45-47页 |
| 5.3 基于电流源模型和采样的SSTA | 第47页 |
| 5.4 数据重用提升SSTA的效率 | 第47-48页 |
| 5.5 实验结果 | 第48-50页 |
| 5.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 总结 | 第51-52页 |
| 6.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第58-59页 |
