摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第9-29页 |
1.1 平板显示技术与薄膜晶体管 | 第9-11页 |
1.1.1 薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第9-10页 |
1.1.2 薄膜晶体管在OLED中的应用 | 第10-11页 |
1.2 薄膜晶体管器件工作原理与性能要求 | 第11-14页 |
1.2.1 TFT结构与工作原理 | 第11-12页 |
1.2.2 TFT关键性能指标 | 第12-14页 |
1.3 TFT有源层材料 | 第14-16页 |
1.3.1 非晶硅TFT | 第14页 |
1.3.2 多晶硅TFT | 第14-15页 |
1.3.3 氧化物TFT | 第15-16页 |
1.4 IGZO-TFT研究现状 | 第16-22页 |
1.4.1 IGZO电学性能研究 | 第16-17页 |
1.4.2 IGZO缺陷物理研究 | 第17-18页 |
1.4.3 IGZO-TFT制备与性能研究 | 第18-20页 |
1.4.4 IGZO-TFT稳定性研究 | 第20-22页 |
1.5 问题的提出 | 第22-28页 |
1.5.1 IGZO载流子输运机制 | 第23-25页 |
1.5.2 IGZO隙态缺陷研究 | 第25-26页 |
1.5.3 元素的掺杂 | 第26-28页 |
1.6 研究内容 | 第28-29页 |
第2章 实验设备、方法及样品表征 | 第29-39页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 主要实验设备与实验方法 | 第29-33页 |
2.2.1 磁控溅射原理与设备 | 第29-30页 |
2.2.2 退火设备 | 第30-31页 |
2.2.3 IGZO和INZO薄膜制备方法与流程 | 第31-33页 |
2.3 样品表征方法与分析仪器 | 第33-37页 |
2.3.1 光学带隙提取 | 第33-34页 |
2.3.2 乌尔巴赫能量(Urbach Energy)提取 | 第34-36页 |
2.3.3 光致发光原理与缺陷表征 | 第36-37页 |
2.4 分析仪器简介 | 第37-39页 |
第3章 IGZO薄膜制备与性能研究 | 第39-58页 |
3.1 本章引言 | 第39页 |
3.2 溅射电流对IGZO薄膜性能的影响 | 第39-44页 |
3.3 氧气流量对IGZO薄膜性能的影响 | 第44-50页 |
3.3.1 氧气流量对IGZO薄膜电学性能的影响 | 第44-46页 |
3.3.2 氧气流量对IGZO薄膜光学性能的影响 | 第46-47页 |
3.3.3 XPS检测与氧空位分析 | 第47-50页 |
3.4 基底温度对IGZO薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
3.5 退火温度对IGZO薄膜性能的影响 | 第51-56页 |
3.6 本章小结 | 第56-58页 |
第4章 IGZO薄膜载流子输运特性与隙态缺陷研究 | 第58-76页 |
4.1 本章引言 | 第58-59页 |
4.2 输运机制选择 | 第59-63页 |
4.2.1 IGZO薄膜电导率与温度的关系 | 第60-62页 |
4.2.2 IGZO薄膜Hall迁移率与温度的关系 | 第62-63页 |
4.3 IGZO输运特性研究 | 第63-67页 |
4.3.1 渗流传导模型物理参数提取与分析 | 第64-65页 |
4.3.2 本征迁移率的物理含义与影响因素 | 第65-67页 |
4.4 光致发光与IGZO隙态缺陷 | 第67-74页 |
4.4.1 IGZO光致发光发射谱 | 第67-68页 |
4.4.2 IGZO光致发光激发谱 | 第68-72页 |
4.4.3 IGZO制备工艺与深能级隙态缺陷 | 第72-74页 |
4.5 本章小结 | 第74-76页 |
第5章 INZO薄膜制备与性能研究 | 第76-93页 |
5.1 本章引言 | 第76-77页 |
5.2 Nb含量对INZO薄膜电学性能影响 | 第77-78页 |
5.3 氧气流量对INZO薄膜电学性能影响 | 第78-82页 |
5.4 基底温度对INZO薄膜电学性能影响 | 第82-87页 |
5.5 INZO与IGZO性能对比 | 第87-91页 |
5.5.1 薄膜Hall迁移率比较 | 第87-90页 |
5.5.2 薄膜深能级隙态缺陷比较 | 第90-91页 |
5.6 本章小结 | 第91-93页 |
第6章结论 | 第93-95页 |
参考文献 | 第95-108页 |
致谢 | 第108-110页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第110页 |