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多元金属氧化物n型半导体薄膜制备与性能研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 引言第9-29页
    1.1 平板显示技术与薄膜晶体管第9-11页
        1.1.1 薄膜晶体管在LCD中的应用第9-10页
        1.1.2 薄膜晶体管在OLED中的应用第10-11页
    1.2 薄膜晶体管器件工作原理与性能要求第11-14页
        1.2.1 TFT结构与工作原理第11-12页
        1.2.2 TFT关键性能指标第12-14页
    1.3 TFT有源层材料第14-16页
        1.3.1 非晶硅TFT第14页
        1.3.2 多晶硅TFT第14-15页
        1.3.3 氧化物TFT第15-16页
    1.4 IGZO-TFT研究现状第16-22页
        1.4.1 IGZO电学性能研究第16-17页
        1.4.2 IGZO缺陷物理研究第17-18页
        1.4.3 IGZO-TFT制备与性能研究第18-20页
        1.4.4 IGZO-TFT稳定性研究第20-22页
    1.5 问题的提出第22-28页
        1.5.1 IGZO载流子输运机制第23-25页
        1.5.2 IGZO隙态缺陷研究第25-26页
        1.5.3 元素的掺杂第26-28页
    1.6 研究内容第28-29页
第2章 实验设备、方法及样品表征第29-39页
    2.1 引言第29页
    2.2 主要实验设备与实验方法第29-33页
        2.2.1 磁控溅射原理与设备第29-30页
        2.2.2 退火设备第30-31页
        2.2.3 IGZO和INZO薄膜制备方法与流程第31-33页
    2.3 样品表征方法与分析仪器第33-37页
        2.3.1 光学带隙提取第33-34页
        2.3.2 乌尔巴赫能量(Urbach Energy)提取第34-36页
        2.3.3 光致发光原理与缺陷表征第36-37页
    2.4 分析仪器简介第37-39页
第3章 IGZO薄膜制备与性能研究第39-58页
    3.1 本章引言第39页
    3.2 溅射电流对IGZO薄膜性能的影响第39-44页
    3.3 氧气流量对IGZO薄膜性能的影响第44-50页
        3.3.1 氧气流量对IGZO薄膜电学性能的影响第44-46页
        3.3.2 氧气流量对IGZO薄膜光学性能的影响第46-47页
        3.3.3 XPS检测与氧空位分析第47-50页
    3.4 基底温度对IGZO薄膜性能的影响第50-51页
    3.5 退火温度对IGZO薄膜性能的影响第51-56页
    3.6 本章小结第56-58页
第4章 IGZO薄膜载流子输运特性与隙态缺陷研究第58-76页
    4.1 本章引言第58-59页
    4.2 输运机制选择第59-63页
        4.2.1 IGZO薄膜电导率与温度的关系第60-62页
        4.2.2 IGZO薄膜Hall迁移率与温度的关系第62-63页
    4.3 IGZO输运特性研究第63-67页
        4.3.1 渗流传导模型物理参数提取与分析第64-65页
        4.3.2 本征迁移率的物理含义与影响因素第65-67页
    4.4 光致发光与IGZO隙态缺陷第67-74页
        4.4.1 IGZO光致发光发射谱第67-68页
        4.4.2 IGZO光致发光激发谱第68-72页
        4.4.3 IGZO制备工艺与深能级隙态缺陷第72-74页
    4.5 本章小结第74-76页
第5章 INZO薄膜制备与性能研究第76-93页
    5.1 本章引言第76-77页
    5.2 Nb含量对INZO薄膜电学性能影响第77-78页
    5.3 氧气流量对INZO薄膜电学性能影响第78-82页
    5.4 基底温度对INZO薄膜电学性能影响第82-87页
    5.5 INZO与IGZO性能对比第87-91页
        5.5.1 薄膜Hall迁移率比较第87-90页
        5.5.2 薄膜深能级隙态缺陷比较第90-91页
    5.6 本章小结第91-93页
第6章结论第93-95页
参考文献第95-108页
致谢第108-110页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第110页

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