微光像素单元物理机理及电路设计研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 微光器件的发展历程 | 第15-22页 |
| 1.2.1 真空像增强器 | 第15-17页 |
| 1.2.2 电荷耦合像传感器 | 第17-19页 |
| 1.2.3 CMOS图像传感器 | 第19-20页 |
| 1.2.4 背照式CMOS图像传感器 | 第20-22页 |
| 1.3 本文的主要内容安排 | 第22-23页 |
| 第二章 微光像素单元的结构与原理 | 第23-33页 |
| 2.1 背照式CMOS图像传感器的基本结构 | 第23-24页 |
| 2.2 背照式CMOS图像传感器的研究现状 | 第24-25页 |
| 2.3 钉扎雪崩光电二极管的优点以及工作原理 | 第25-29页 |
| 2.4 CMOS图像传感器的性能参数 | 第29-30页 |
| 2.5 微光像素单元信噪比的计算 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小节 | 第32-33页 |
| 第三章 碰撞电离模型 | 第33-43页 |
| 3.1 碰撞电离率模型 | 第33-35页 |
| 3.1.1 Chynoweth模型 | 第33-34页 |
| 3.1.2 Shockley幸运电子模型 | 第34页 |
| 3.1.3 Okuto-Crowell模型 | 第34-35页 |
| 3.2 TCAD中电离率模型的验证 | 第35-39页 |
| 3.3 TCAD仿真工具的介绍 | 第39-41页 |
| 3.3.1 SDE和SDevice的介绍 | 第39-40页 |
| 3.3.2 物理模型的选择 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小节 | 第41-43页 |
| 第四章 钉扎雪崩光电二极管的优化 | 第43-69页 |
| 4.1 PAPD暗电流的优化 | 第43-55页 |
| 4.1.1 针对减小复合电流的优化 | 第43-49页 |
| 4.1.2 泄漏电流的优化 | 第49-55页 |
| 4.2 PAPD图像拖尾的优化 | 第55-67页 |
| 4.2.1 耗尽不完全影响正常的电子转移 | 第56-57页 |
| 4.2.2 调整衬底偏压实现全耗尽 | 第57-59页 |
| 4.2.3 调整钳位电压实现全耗尽 | 第59-65页 |
| 4.2.4 实现快速电子转移的结构设计 | 第65-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 像素单元固定图形噪声的优化验证 | 第69-77页 |
| 5.1 四管像素单元的尺寸设计 | 第69-74页 |
| 5.2 引入相关双采样电路减小噪声 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小节 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
