| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 论文研究背景及研究意义 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第15-17页 |
| 1.3 论文的研究方法和主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 CMOS反相器微波干扰基本原理 | 第19-31页 |
| 2.1 CMOS反相器相关理论 | 第19-24页 |
| 2.1.1 CMOS反相器的结构及传输特性 | 第19-20页 |
| 2.1.2 CMOS反相器的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 CMOS反相器的主要特性 | 第21-23页 |
| 2.1.4 CMOS结构中的闩锁效应 | 第23-24页 |
| 2.2 电磁干扰基本原理 | 第24-29页 |
| 2.2.1 电磁干扰三要素 | 第24页 |
| 2.2.2 电磁干扰耦合途径 | 第24-28页 |
| 2.2.3 电磁干扰的抑制 | 第28-29页 |
| 2.3 本章总结 | 第29-31页 |
| 第三章 CMOS反相器微波干扰效应电路模拟 | 第31-45页 |
| 3.1 电路模拟基础 | 第31-33页 |
| 3.1.1 电磁干扰对CMOS数字电路的作用过程 | 第31页 |
| 3.1.2 MOS管SPICE模型 | 第31-33页 |
| 3.2 电路模拟 | 第33-43页 |
| 3.2.1 仿真模型建立 | 第33-36页 |
| 3.2.2 输出逻辑电压与干扰信号参数的关系 | 第36-41页 |
| 3.2.3 级联反相器干扰效应仿真 | 第41-43页 |
| 3.3 本章总结 | 第43-45页 |
| 第四章 半导体器件微波效应与器件模型参数 | 第45-57页 |
| 4.1 半导体器件微波效应 | 第45-49页 |
| 4.1.1 电效应 | 第45-47页 |
| 4.1.2 电子效应 | 第47-48页 |
| 4.1.3 热效应 | 第48-49页 |
| 4.2 器件仿真软件ISE-TCAD | 第49-51页 |
| 4.2.1 关于MDRAW | 第50页 |
| 4.2.2 关于DESSIS | 第50页 |
| 4.2.3 设计流程 | 第50-51页 |
| 4.3 模型参数选择 | 第51-56页 |
| 4.3.1 本征载流子模型 | 第51-52页 |
| 4.3.2 迁移率模型 | 第52-54页 |
| 4.3.3 载流子产生复合模型 | 第54-56页 |
| 4.4 本章总结 | 第56-57页 |
| 第五章 CMOS反相器微波扰乱效应器件模拟 | 第57-69页 |
| 5.1 器件建模 | 第57-59页 |
| 5.1.1 CMOS反相器在ISE-TCAD中的建模 | 第57-59页 |
| 5.1.2 CMOS反相器干扰仿真原理图 | 第59页 |
| 5.2 ISE-TCAD仿真结果及分析 | 第59-68页 |
| 5.2.1 输出电压与干扰脉冲幅值关系 | 第60-62页 |
| 5.2.2 输出电压与电路工作状态关系 | 第62-64页 |
| 5.2.3 输出电压与工作电压关系 | 第64页 |
| 5.2.4 输出电压与脉冲频率的关系 | 第64-65页 |
| 5.2.5 反相器内部电流密度的变化趋势 | 第65-68页 |
| 5.3 本章总结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 研究结论 | 第69-70页 |
| 6.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |