摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-20页 |
1.1 植入式医疗芯片背景 | 第12-14页 |
1.2 研究现状 | 第14-18页 |
1.3 本文的研究内容 | 第18-20页 |
第二章 无线能量管理芯片整体架构 | 第20-24页 |
2.1 芯片原理分析 | 第20-21页 |
2.2 芯片性能指标 | 第21-22页 |
2.2.1 效率 | 第21页 |
2.2.2 输出纹波 | 第21页 |
2.2.3 最大负载电流 | 第21-22页 |
2.2.4 建立时间 | 第22页 |
2.3 无线能量管理芯片设计考虑 | 第22-24页 |
第三章 电荷泵整流器的研究与设计 | 第24-36页 |
3.1 整流器的基本介绍 | 第24-25页 |
3.2 Dickson电荷泵整流器原理分析 | 第25-27页 |
3.3 基于本征MOS管的电荷泵整流器 | 第27-32页 |
3.3.1 本征MOS管的介绍 | 第28页 |
3.3.2 单级电荷泵 | 第28-32页 |
3.3.3 N级电荷泵 | 第32页 |
3.4 N级电荷泵设计要点 | 第32-34页 |
3.4.1 N级电荷泵设计流程 | 第32-33页 |
3.4.2 设计验证与仿真 | 第33-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-36页 |
第四章 带隙基准电压源的研究与设计 | 第36-48页 |
4.1 带隙基准工作原理 | 第36-38页 |
4.2 带隙基准源的性能指标 | 第38-40页 |
4.2.1 功耗 | 第38页 |
4.2.2 温度系数(TC) | 第38-39页 |
4.2.3 电源抑制比(PSRR) | 第39页 |
4.2.4 线性调整率(LR) | 第39页 |
4.2.5 启动时间 | 第39-40页 |
4.3 带隙基准电压源实现方案 | 第40-47页 |
4.3.1 工作在亚阈值区的MOS模型 | 第40页 |
4.3.2 电路设计 | 第40-44页 |
4.3.2.1 亚阈值MOSFET基准电压源 | 第40-42页 |
4.3.2.2 改进型亚阈值MOSFET基准电压源 | 第42-44页 |
4.3.3 仿真结果 | 第44-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-48页 |
第五章 低压差线性稳压器的研究与设计 | 第48-62页 |
5.1 低压差线性稳压器工作原理 | 第48-50页 |
5.2 LDO的性能指标 | 第50-52页 |
5.2.1 功耗 | 第50页 |
5.2.2 效率 | 第50页 |
5.2.3 电源噪声抑制 | 第50-51页 |
5.2.4 负载瞬态响应特性 | 第51页 |
5.2.5 最大负载电流 | 第51页 |
5.2.6 负载调整率 | 第51页 |
5.2.7 线性调整率 | 第51页 |
5.2.8 频率响应特性 | 第51-52页 |
5.3 LDO实现方案 | 第52-57页 |
5.3.1 功率开关管 | 第52页 |
5.3.2 反馈网络 | 第52-53页 |
5.3.3 误差放大器 | 第53-54页 |
5.3.4 辅助电路 | 第54-57页 |
5.3.4.1 使能电路 | 第55页 |
5.3.4.2 过流保护电路 | 第55-56页 |
5.3.4.3 过温保护电路 | 第56页 |
5.3.4.4 过压保护电路 | 第56-57页 |
5.4 仿真结果 | 第57-60页 |
5.5 本章小结 | 第60-62页 |
第六章 无线能量管理芯片仿真 | 第62-68页 |
6.1 无线能量管理芯片版图 | 第62-63页 |
6.2 无线能量管理芯片后仿真 | 第63-68页 |
第七章 总结与展望 | 第68-71页 |
7.1 总结 | 第68-69页 |
7.2 问题及展望 | 第69-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
附录 | 第78页 |