| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 序言 | 第8-16页 |
| ·太赫兹概述 | 第8-13页 |
| ·太赫兹波的产生 | 第10页 |
| ·太赫兹波的探测 | 第10-11页 |
| ·太赫兹时域光谱技术 | 第11-13页 |
| ·半导体超快载流子动力学的研究 | 第13-14页 |
| ·本论文主要内容及结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 OPTP 技术介绍 | 第16-22页 |
| ·OPTP 技术概述 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第17-18页 |
| ·OPTP 系统同典型的THz-TDS 系统的区别 | 第18-22页 |
| 第三章 n-Si 和p-Si 基片的太赫兹时域光谱及超快载流子动力学研究 | 第22-34页 |
| ·n-Si 与p-Si 基片的太赫兹时域光谱分析 | 第22-27页 |
| ·实验样品测量 | 第22页 |
| ·实验结果及数据分析 | 第22-26页 |
| ·实验小结 | 第26-27页 |
| ·n-Si 与p-Si 的超快载流子动力学研究 | 第27-32页 |
| ·实验系统及样品测量 | 第27页 |
| ·实验结果与讨论 | 第27-32页 |
| ·实验小结 | 第32页 |
| ·本章总结 | 第32-34页 |
| 第四章 外加电场作用下GaAs 基片的超快载流子动力学研究 | 第34-42页 |
| ·实验装置及测量 | 第34-35页 |
| ·实验结果与计算讨论 | 第35-41页 |
| ·未加电场时GaAs 基片的泵浦探测扫描 | 第35-37页 |
| ·外加电场时GaAs 基片的泵浦探测扫描 | 第37-41页 |
| ·本章总结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结 | 第42-44页 |
| ·本论文工作总结 | 第42-43页 |
| ·工作展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 硕士期间发表论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
