首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文

由光辅助电化学刻蚀制备大面积p型硅微通道板

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-9页
目录第9-10页
第一章 微通道概述第10-26页
   ·微通道的简介第10-11页
   ·微通道技术的主要应用第11-15页
   ·MCP的研究进展第15-16页
   ·MEMS及其微加工技术第16-19页
   ·MEMS技术在微通道中的应用第19-22页
   ·硅微通道的研究现状第22-23页
   ·本文研究内容第23-24页
   ·本文研究的重要意义第24页
 本章参考文献第24-26页
第二章 硅微通道的制造原理及其工艺第26-46页
   ·光电化学(PEC)刻蚀理论简介第26-29页
   ·多孔硅形成的基本原理第29-30页
   ·电化学深刻蚀形成P型多孔硅的基本原理第30-35页
   ·硅微通道的制造工艺流程概述第35-44页
 本章参考文献第44-46页
第三章 微通道的电化学刻蚀第46-66页
   ·实验装置第46-52页
   ·硅片及刻蚀溶液第52-53页
   ·实验结果及分析第53-60页
   ·大尺寸MCP的电化学刻蚀第60-64页
 本章参考文献第64-66页
第四章 制作大尺寸 MCP影响条件的分析和改进第66-78页
   ·光照的分析和改进第66-71页
   ·实验装置的改进第71-72页
   ·温度控制系统的引入第72-77页
 本章参考文献第77-78页
第五章 总结第78-81页
   ·结论第78-79页
   ·MCP的运用和展望第79-80页
 本章参考文献第80-81页
攻读学位期间发表的学术论文目录第81-82页
致谢第82页

论文共82页,点击 下载论文
上一篇:基于特异材料带通滤波器的研究
下一篇:浅谈衍生品金融风险控制--我国商业银行衍生品市场研究