| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 半导体检测器简介 | 第11-13页 |
| 1.1.1 半导体探测器的发展及需求 | 第11页 |
| 1.1.2 半导体探测器的常见类型 | 第11-13页 |
| 1.2 CdTe的应用及特点 | 第13-17页 |
| 1.2.1 CdTe晶体的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 CdTe探测器的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 CdTe半导体探测器的特性 | 第15-16页 |
| 1.2.4 CdTe半导体探测原理 | 第16-17页 |
| 1.3 碲化镉制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 溅射制备碲化镉薄膜 | 第17-18页 |
| 1.3.2 单晶生长 | 第18-19页 |
| 1.3.3 水热法 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究目的及意义 | 第20-21页 |
| 第2章 水合肼还原CdTe的水热合成研究 | 第21-39页 |
| 2.1 前言 | 第21页 |
| 2.2 实验仪器与试剂 | 第21页 |
| 2.3 实验步骤 | 第21-23页 |
| 2.3.1 CdTe粉体的制备 | 第22页 |
| 2.3.2 反应产物的表征 | 第22-23页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第23-38页 |
| 2.4.1 初始反应物化学计量比对碲化镉粉制备的影响 | 第23-25页 |
| 2.4.1.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第23-24页 |
| 2.4.1.2 反应产物的形貌分析 | 第24-25页 |
| 2.4.2 水合肼的量对碲化镉粉体制备的影响 | 第25-28页 |
| 2.4.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第26-27页 |
| 2.4.2.2 反应产物的形貌分析 | 第27-28页 |
| 2.4.3 煅烧处理对碲化镉粉制备的影响 | 第28-31页 |
| 2.4.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第28-29页 |
| 2.4.3.2 反应产物的形貌分析 | 第29-31页 |
| 2.4.4 多次煅烧处理对碲化镉粉制备的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.4.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第31-32页 |
| 2.4.5 水热反应时间对碲化镉粉制备的影响 | 第32-34页 |
| 2.4.5.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第32-33页 |
| 2.4.5.2 反应产物的形貌分析 | 第33-34页 |
| 2.4.6 初始反应物对碲化镉粉制备的影响 | 第34-36页 |
| 2.4.6.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第34-35页 |
| 2.4.6.2 反应产物的形貌分析 | 第35-36页 |
| 2.4.7 水热反应温度对碲化镉粉制备的影响 | 第36-38页 |
| 2.4.7.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第36-37页 |
| 2.4.7.2 反应产物的形貌分析 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 没食子酸和水合肼还原CdTe的水热合成 | 第39-48页 |
| 3.1 前言 | 第39页 |
| 3.2 实验仪器与试剂 | 第39-40页 |
| 3.3 实验步骤 | 第40页 |
| 3.3.1 反应产物的制备 | 第40页 |
| 3.3.2 反应产物的表征 | 第40页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第40-47页 |
| 3.4.1 没食子酸(GA)的加入对碲化镉粉制备的影响 | 第40-43页 |
| 3.4.1.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第40-42页 |
| 3.4.1.2 反应产物的形貌分析 | 第42-43页 |
| 3.4.2 不同水热时间对加入没食子酸(GA)制备的碲化镉粉的影响 | 第43-45页 |
| 3.4.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第43-45页 |
| 3.4.2.2 反应产物的形貌分析 | 第45页 |
| 3.4.3 没食子酸(GA)的加入量对碲化镉粉制备的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第46页 |
| 3.4.3.2 反应产物的形貌分析 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 CdTe多晶陶瓷片的SPS烧结研究 | 第48-55页 |
| 4.1 前言 | 第48页 |
| 4.2 实验仪器与试剂 | 第48-49页 |
| 4.3 实验步骤 | 第49页 |
| 4.3.1 反应产物的制备 | 第49页 |
| 4.3.2 反应产物的表征 | 第49页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第49-54页 |
| 4.4.1 SPS烧结过程前碲化镉粉体的粒度分布 | 第49-50页 |
| 4.4.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第50-51页 |
| 4.4.3 烧结后碲化镉陶瓷的密度分布 | 第51-52页 |
| 4.4.4 反应产物的形貌分析 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
