| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 碳化硅材料的物理特性简介 | 第9-11页 |
| 1.2 碳化硅DMOS器件发展概况 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 碳化硅器件物理模型和仿真基础 | 第15-22页 |
| 2.1 器件理论基础 | 第15-20页 |
| 2.1.1 半导体器件基本方程 | 第15-16页 |
| 2.1.2 碰撞电离模型 | 第16-17页 |
| 2.1.3 禁带宽度变窄模型 | 第17-18页 |
| 2.1.4 迁移率模型 | 第18-20页 |
| 2.2 仿真平台介绍 | 第20-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 1700V 4H-SiC DMOS晶体管结构设计 | 第22-53页 |
| 3.1 1700V 4H-SiC DMOS元胞设计 | 第22-34页 |
| 3.1.1 阈值电压的优化设计 | 第22-26页 |
| 3.1.2 击穿电压的优化设计 | 第26-30页 |
| 3.1.3 导通电阻的优化设计 | 第30-34页 |
| 3.2 1700V 4H-SiC DMOS结终端设计 | 第34-46页 |
| 3.2.1 场板终端 | 第34-38页 |
| 3.2.2 JTE终端 | 第38-40页 |
| 3.2.3 场限环终端 | 第40-46页 |
| 3.3 栅氧化层可靠性研究 | 第46-51页 |
| 3.4 本章总结 | 第51-53页 |
| 第四章 1700V 4H-SiC DMOS晶体管实验及测试分析 | 第53-65页 |
| 4.1 4H-SiC MOS电容实验分析 | 第53-61页 |
| 4.2 版图设计 | 第61-62页 |
| 4.3 实验测试分析 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72-73页 |
