| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外发展状况 | 第10-11页 |
| 1.3 隧穿场效应晶体管面临的挑战 | 第11-12页 |
| 1.4 课题研究意义及主要研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4.1 课题研究意义 | 第12页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 传统半导体简介 | 第13-18页 |
| 2.1 隧穿二极管 | 第13-14页 |
| 2.1.1 隧穿二极管简介 | 第13-14页 |
| 2.1.2 隧穿二极管的工作原理 | 第14页 |
| 2.2 MOSFET晶体管 | 第14-17页 |
| 2.2.1 MOSFET晶体管简介 | 第14-15页 |
| 2.2.2 MOSFET晶体管的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2.3 MOSFET的亚阈区特性 | 第16-17页 |
| 2.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第3章 隧穿场效应晶体管的基本原理 | 第18-24页 |
| 3.1 隧穿效应 | 第18-19页 |
| 3.2 隧穿几率 | 第19-21页 |
| 3.3 TFET基本工作原理 | 第21-23页 |
| 3.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第4章 具有辅助栅的新型H栅U沟道无结场效应晶体管 | 第24-47页 |
| 4.1 具有辅助栅的新型H栅U沟道无结场效应晶体管的结构与参数 | 第24-27页 |
| 4.1.1 基本结构 | 第24-26页 |
| 4.1.2 仿真参数设置 | 第26-27页 |
| 4.2 有辅助栅与无辅助栅的仿真对比 | 第27-28页 |
| 4.3 辅助栅厚度变化对器件性能产生的影响 | 第28-32页 |
| 4.4 辅助栅电压变化对器件性能产生的影响 | 第32-36页 |
| 4.5 主栅与辅助栅之间的氧化层厚度变化对器件性能的影响 | 第36-38页 |
| 4.6 源漏延长区厚度变化对器件性能产生的影响 | 第38-41页 |
| 4.7 主栅厚度变化对器件性能产生的影响 | 第41-42页 |
| 4.8 硅体掺杂浓度变化对器件性能的影响 | 第42-46页 |
| 4.9 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管 | 第47-54页 |
| 5.1 源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管的基本结构与参数设置 | 第47-49页 |
| 5.1.1 基本结构 | 第47-48页 |
| 5.1.2 仿真参数设置 | 第48-49页 |
| 5.2 传统MOSFET晶体管与源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管的仿真分析 | 第49-50页 |
| 5.3 普通TFET与源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管的仿真分析 | 第50-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管的优化 | 第54-71页 |
| 6.1 不同VDS下器件的性能 | 第54页 |
| 6.2 栅极氧化层厚度变化对器件性能的影响 | 第54-58页 |
| 6.3 N掺杂区厚度变化对器件性能的影响 | 第58-63页 |
| 6.4 N区掺杂浓度变化对器件性能的影响 | 第63-67页 |
| 6.5 不同栅极氧化层材料对器件性能的影响 | 第67-70页 |
| 6.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第7章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 在学研究成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
