CAL功率二极管的参数优化与工艺控制
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 功率二极管的结构与未来发展趋势 | 第9-10页 |
| 1.2 二极管的发展状况 | 第10-11页 |
| 1.3 课题研究意义以及主要研究内容 | 第11-13页 |
| 1.3.1 课题研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3.2 论文主要内容 | 第12-13页 |
| 第2章 快恢复二极管参数估算及结构的确定 | 第13-23页 |
| 2.1 快恢复二极管基本结构 | 第13页 |
| 2.2 快恢复二极管结构参数的估算 | 第13-14页 |
| 2.3 基本特性的分析 | 第14-21页 |
| 2.3.1 阻断特性的分析 | 第14-15页 |
| 2.3.2 正向特性的分析 | 第15-17页 |
| 2.3.3 反向恢复特性的分析 | 第17-21页 |
| 2.4 功率PIN二极管的性能要求 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 寿命控制技术 | 第23-28页 |
| 3.1 寿命控制技术的基本理论 | 第23-24页 |
| 3.2 少子寿命对器件特性的影响 | 第24-25页 |
| 3.3 现有寿命控制技术简介 | 第25-27页 |
| 3.3.1 整体寿命控制 | 第25-26页 |
| 3.3.2 局域寿命控制(CAL) | 第26-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 CAL功率二极管工艺条件的仿真 | 第28-34页 |
| 4.1 工艺仿真软件简介 | 第28页 |
| 4.2 工艺过程 | 第28-33页 |
| 4.2.1 衬底制备 | 第28-29页 |
| 4.2.2 N+阴极区扩散 | 第29-30页 |
| 4.2.3 P+阳极区离子注入 | 第30-32页 |
| 4.2.4 局域寿命控制 | 第32-33页 |
| 4.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第5章 质子辐照工艺条件的优化 | 第34-53页 |
| 5.1 主要物理模型的选取 | 第34-36页 |
| 5.2 反向恢复测试电路 | 第36-37页 |
| 5.3 仿真方法 | 第37-39页 |
| 5.4 质子辐照的能量与辐照深度的关系 | 第39-40页 |
| 5.5 辐照能量对通态压降影响的分析 | 第40-42页 |
| 5.5.1 整体寿命控制对正向压降的影响的分析 | 第40页 |
| 5.5.2 一次辐照的分析 | 第40-42页 |
| 5.5.3 二次辐照的分析 | 第42页 |
| 5.6 辐照能量对反向恢复时间的影响的分析 | 第42-44页 |
| 5.6.1 一次辐照的分析 | 第42-43页 |
| 5.6.2 二次辐照的分析 | 第43-44页 |
| 5.7 辐照能量对软度因子的影响的分析 | 第44-47页 |
| 5.7.1 一次辐照的分析 | 第44-46页 |
| 5.7.2 二次辐照的分析 | 第46-47页 |
| 5.8 辐照能量对反向恢复峰值电流影响的分析 | 第47-49页 |
| 5.8.1 一次辐照的分析 | 第47-49页 |
| 5.8.2 二次辐照的分析 | 第49页 |
| 5.9 局域寿命控制对载流子分布的影响 | 第49-50页 |
| 5.10 辐照剂量对局域寿命控制各参数的影响 | 第50-51页 |
| 5.11 本章小结 | 第51-53页 |
| 第6章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 在学研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
