| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 无结场效应晶体管的发展现状 | 第10-11页 |
| 1.2.1 无结场效应晶体管的国内外发展现状 | 第10页 |
| 1.2.2 团队研究成果 | 第10-11页 |
| 1.2.3 无结场效应晶体管发展面临的挑战 | 第11页 |
| 1.3 课题的研究内容 | 第11-13页 |
| 第2章 无结场效应晶体管的基本工作原理及特性分析 | 第13-19页 |
| 2.1 无结场效应晶体管的基本工作原理 | 第13-15页 |
| 2.1.1 无结场效应晶体管的导通原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 无结场效应晶体管的优势 | 第14-15页 |
| 2.2 建模分析 | 第15-17页 |
| 2.2.1 电荷模型 | 第15-16页 |
| 2.2.2 漏电流模型 | 第16页 |
| 2.2.3 带带隧穿原理 | 第16-17页 |
| 2.3 模拟方法 | 第17-18页 |
| 2.3.1 仿真工具 | 第17-18页 |
| 2.3.2 模型及方法 | 第18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 H形栅无结场效应晶体管特性的量子仿真验证 | 第19-27页 |
| 3.1 H形栅无结场效应晶体管的结构介绍 | 第19-20页 |
| 3.2 源漏延长区高度优化的矫正 | 第20-23页 |
| 3.3 栅电极高度优化的矫正 | 第23-24页 |
| 3.4 环境温度变化下器件性能的稳定性 | 第24-26页 |
| 3.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第4章 方筒形栅无结场效应晶体管的仿真研究 | 第27-42页 |
| 4.1 器件基本结构的提出 | 第27-29页 |
| 4.2 相同结构参数下量子仿真和经典仿真结果的对比 | 第29-30页 |
| 4.3 源漏延长区高度对器件性能的影响 | 第30-32页 |
| 4.4 硅体掺杂浓度大小对器件性能的影响 | 第32-33页 |
| 4.5 两垂直沟道间氧化层厚度对器件性能的影响 | 第33-35页 |
| 4.6 栅电极长度对器件性能的影响 | 第35-37页 |
| 4.7 栅氧化层材料对器件性能的影响 | 第37-39页 |
| 4.8 不同温度下器件特性的稳定性 | 第39-41页 |
| 4.9 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 方筒形辅控栅无结场效应晶体管的仿真研究 | 第42-58页 |
| 5.1 器件结构的提出 | 第42-45页 |
| 5.2 辅助栅和栅极之间氧化层厚度对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 5.3 辅助栅长度对器件性能的影响 | 第47-49页 |
| 5.4 硅体掺杂浓度对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.5 两垂直沟道间氧化层厚度对器件性能的影响 | 第50-51页 |
| 5.6 辅助栅电压大小对器件性能的影响 | 第51-53页 |
| 5.7 有无辅助栅电压在不同掺杂浓度下的验证 | 第53-55页 |
| 5.8 不同温度下器件特性的稳定性 | 第55-57页 |
| 5.9 本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 在学研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |